[发明专利]电子部件模块及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710083886.4 申请日: 2017-02-16
公开(公告)号: CN107342266B 公开(公告)日: 2020-09-18
发明(设计)人: 中尾彰夫 申请(专利权)人: 新科实业有限公司
主分类号: H01L23/29 分类号: H01L23/29;H01L21/56;H01L23/552;H05K9/00
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫
地址: 中国香港新界沙田香*** 国省代码: 香港;81
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摘要:
搜索关键词: 电子 部件 模块 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种电子部件模块,其具有:

基板;

至少一个电子部件,所述电子部件形成于该基板的一侧的主表面;

树脂模制层,所述树脂模制层以使用密封树脂密封该电子部件的方式形成;以及

薄膜磁屏蔽层,所述薄膜屏蔽层形成于该树脂模制层的与所述主表面相对的树脂表面,

该薄膜磁屏蔽层具有薄膜多重屏蔽层,所述薄膜多重屏蔽层具有由多个薄膜单位屏蔽层层压而成的屏蔽体多重结构,

所述薄膜单位屏蔽层具有软磁性层和应力差异金属层的层压结构,所述软磁性层由软磁性材料构成,所述应力差异金属层由与该软磁性层应力方向不同的应力差异金属材料构成。

2.如权利要求1所述的电子部件模块,其中,

所述薄膜单位屏蔽层为以如下方式形成的溅射薄膜或蒸镀薄膜:所述软磁性层的膜厚被设定为大于所述应力差异金属层的膜厚,其大小为所述应力差异金属层的膜厚的20倍至60倍,并且所述软磁性层显示拉伸应力且所述应力差异金属层显示压缩应力,或者所述软磁性层显示压缩应力且所述应力差异金属层显示拉伸应力。

3.如权利要求1或2所述的电子部件模块,其中,

所述薄膜磁屏蔽层进一步具有:

粘合晶种层,所述粘合晶种层直接形成于所述树脂模制层的所述树脂表面;

电磁波屏蔽层,所述电磁波屏蔽层层压于该粘合晶种层和所述薄膜多重屏蔽层之间;以及

保护层,所述保护层直接形成于所述薄膜多重屏蔽层,

该粘合晶种层、保护层使用与所述应力差异金属材料相同的金属材料而形成,且所述电磁波屏蔽层使用铜、银、铝以及其他导电性金属材料而形成。

4.如权利要求1或2所述的电子部件模块,其中,所述薄膜磁屏蔽层也形成于所述树脂模制层的与所述树脂表面相交的树脂侧面。

5.如权利要求1或2所述的电子部件模块,其中,

所述树脂模制层在所述树脂表面和与该树脂表面相交的树脂侧面之间形成弯曲面或连接端面,该连接端面和所述树脂表面所成的角以及该连接端面和所述树脂侧面所成的角均设定为钝角,在所述树脂模制层的所述树脂侧面以及所述弯曲面或连接端面也形成有所述薄膜磁屏蔽层。

6.如权利要求1或2所述的电子部件模块,其中,

所述树脂模制层在与所述树脂表面的各所述电子部件之间相对应的部件间对应位置形成有凹部,所述薄膜磁屏蔽层也形成于该凹部的内表面。

7.如权利要求1或2所述的电子部件模块,其中,作为所述软磁性层的所述软磁性材料,使用铁镍系合金、铁、铁系合金、或FeCrSi合金。

8.如权利要求1或2所述的电子部件模块,其中,作为所述应力差异金属材料,可使用Cr或W、Ag、Au、Cu、AlN。

9.如权利要求3所述的电子部件模块,其中,作为所述应力差异金属材料,使用Cr或W、Ag、Au、Cu、AlN,作为所述粘合晶种层和所述保护层的材料,使用Cr。

10.一种电子部件模块的制造方法,其包括:

树脂模制层形成工序,所述树脂模制层形成工序为,以使用密封树脂将形成于基板的一侧的主表面的至少一个电子部件密封的方式形成树脂模制层;以及

薄膜磁屏蔽层形成工序,所述薄膜屏蔽层形成工序为,在该树脂模制层的与所述主表面相对的树脂表面形成薄膜磁屏蔽层,

该薄膜磁屏蔽层形成工序具有薄膜多重屏蔽层形成工序,所述薄膜多重屏蔽层形成工序为,通过反复进行形成具有软磁性层和应力差异金属层的层压结构的薄膜单位屏蔽层的薄膜单位屏蔽层形成工序,来形成具有由多个所述薄膜单位屏蔽层层压而成的屏蔽体多重结构的薄膜多重屏蔽层,所述软磁性层由软磁性材料构成,所述应力差异金属层由与该软磁性层的应力方向不同的应力差异金属材料构成。

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