[发明专利]二维硒氧化铋晶体及近红外光电探测器件

权利要求书

1.一种制备二维硒氧化铋晶体的方法，包括如下步骤：

以Bi₂O₃粉末和Bi₂Se₃块体为原料，在基底上进行化学气相沉积，沉积完毕得到所述二维硒氧化铋晶体。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述基底为云母。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述Bi₂O₃粉末的粒径为10-50微米或30微米；

所述Bi₂Se₃块体中，最长边的长度为1-5厘米；

所述Bi₂O₃粉末与Bi₂Se₃块体的摩尔比为1～3：1。

4.根据权利要求1-3中任一所述的方法，其特征在于：所述化学气相沉积步骤中，载气为惰性气体或氩气；

体系压强为50-400torr或200torr；

沉积温度为570-680℃或630℃；

沉积时间为5-60分钟、20分钟或35分钟。

5.根据权利要求1-4中任一所述的方法，其特征在于：所述方法还包括如下步骤：在所述化学气相沉积步骤之后，将体系自然降温至室温。

6.权利要求1-5任一所述方法制备得到的二维硒氧化铋晶体。

7.权利要求6所述二维硒氧化铋晶体在制备光电探测器件、光电显示器件和/或光电成像器件中的应用；

含有二维硒氧化铋晶体的光电探测器件、光电显示器件和/或光电成像器件；

权利要求6所述二维硒氧化铋晶体在光电探测、光电显示和/或光电成像中的应用。

8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于：所述光电探测器件为近红外光电探测器件；

所述光电显示器件为近红外光电显示器件；

所述光电成像器件为近红外光电成像器件；

所述光电探测为近红外光电探测；

所述光电显示为近红外光电显示；

所述光电成像为近红外光电成像；

所述制备步骤包括如下步骤：将所述二维硒氧化铋晶体进行等离子体轰击和刻蚀的步骤。

9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于：所述等离子体轰击步骤中，所用等离子体为氧等离子体；

所述等离子体的流量为10-20sccm或15sccm；

轰击功率为30-60W或45W；

轰击时间为5s-20s。

10.根据权利要求8或9所述的应用，其特征在于：所述刻蚀为化学刻蚀；

所用刻蚀剂具体为由双氧水、浓硫酸和水组成的混合液或由体积比为1：2：4的双氧水、浓硫酸和水组成的混合液；

所述双氧水的质量百分浓度具体为30％；

所述浓硫酸的质量百分浓度具体为98％；

刻蚀的时间为5-30秒。