[实用新型]一种霍尔传感器有效

专利信息
申请号: 201621308085.0 申请日: 2016-12-01
公开(公告)号: CN206259385U 公开(公告)日: 2017-06-16
发明(设计)人: 何云;刘桂芝 申请(专利权)人: 上海南麟电子股份有限公司
主分类号: H01L43/06 分类号: H01L43/06;H01L43/14
代理公司: 上海光华专利事务所31219 代理人: 余明伟
地址: 201210 上海市浦东新区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 霍尔 传感器
【权利要求书】:

1.一种霍尔传感器,其特征在于,所述霍尔传感器至少包括:

衬底;

形成于所述衬底上的感测区,所述感测区在垂直方向上的掺杂浓度一致;

形成于所述感测区与所述衬底之间的多块埋层;

以及,垂直设置于所述感测区中的多个电极,各电极位于各埋层的上方,其深度不小于所述感测区深度的一半。

2.根据权利要求1所述的霍尔传感器,其特征在于:所述衬底的掺杂类型为P型掺杂,所述感测区、所述埋层及所述电极的掺杂类型为N型掺杂。

3.根据权利要求1所述的霍尔传感器,其特征在于:所述衬底的掺杂类型为N型掺杂,所述感测区、所述埋层及所述电极的掺杂类型为P型掺杂。

4.根据权利要求1所述的霍尔传感器,其特征在于:所述感测区的形状为矩形,十字形或圆形。

5.根据权利要求1或4所述的霍尔传感器,其特征在于:所述感测区的材质为外延材料。

6.根据权利要求1所述的霍尔传感器,其特征在于:所述电极的数量为四个,两两对称分布。

7.根据权利要求1所述的霍尔传感器,其特征在于:所述电极的掺杂浓度大于所述感测区的掺杂浓度。

8.根据权利要求1所述的霍尔传感器,其特征在于:各电极贯穿所述感测区,并分别与各埋层接触。

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