[实用新型]一种霍尔传感器有效
申请号: | 201621308085.0 | 申请日: | 2016-12-01 |
公开(公告)号: | CN206259385U | 公开(公告)日: | 2017-06-16 |
发明(设计)人: | 何云;刘桂芝 | 申请(专利权)人: | 上海南麟电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L43/06 | 分类号: | H01L43/06;H01L43/14 |
代理公司: | 上海光华专利事务所31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201210 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 霍尔 传感器 | ||
1.一种霍尔传感器,其特征在于,所述霍尔传感器至少包括:
衬底;
形成于所述衬底上的感测区,所述感测区在垂直方向上的掺杂浓度一致;
形成于所述感测区与所述衬底之间的多块埋层;
以及,垂直设置于所述感测区中的多个电极,各电极位于各埋层的上方,其深度不小于所述感测区深度的一半。
2.根据权利要求1所述的霍尔传感器,其特征在于:所述衬底的掺杂类型为P型掺杂,所述感测区、所述埋层及所述电极的掺杂类型为N型掺杂。
3.根据权利要求1所述的霍尔传感器,其特征在于:所述衬底的掺杂类型为N型掺杂,所述感测区、所述埋层及所述电极的掺杂类型为P型掺杂。
4.根据权利要求1所述的霍尔传感器,其特征在于:所述感测区的形状为矩形,十字形或圆形。
5.根据权利要求1或4所述的霍尔传感器,其特征在于:所述感测区的材质为外延材料。
6.根据权利要求1所述的霍尔传感器,其特征在于:所述电极的数量为四个,两两对称分布。
7.根据权利要求1所述的霍尔传感器,其特征在于:所述电极的掺杂浓度大于所述感测区的掺杂浓度。
8.根据权利要求1所述的霍尔传感器,其特征在于:各电极贯穿所述感测区,并分别与各埋层接触。
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