[实用新型]一种绝缘栅双极型晶体管

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体设备技术领域，更具体地说，涉及一种绝缘栅双极型晶体管。

背景技术

IGBT具体为绝缘栅双极型晶体管，一般由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有绝缘栅型场效应管的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点，IGBT具有节能、安装维修方便、散热稳定的特点，一般应用于变频器、不间断电源等设备上。

目前市场上工控领域用IGBT单管产品多为背面铜裸露产品，终端客户在实际使用中，产品背面与散热器间需粘贴绝缘材料，操作麻烦且一致性较差，且粘贴过程容易引入颗粒杂质，极易造成IGBT单管高压击穿。

综上所述，如何有效的解决绝缘栅双极型晶体管在使用时需粘贴绝缘材料操作不便的问题，是目前本领域技术人员急需解决的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种绝缘栅双极型晶体管，以解决绝缘栅双极型晶体管在使用时需粘贴绝缘材料操作不便的问题。

为了达到上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种绝缘栅双极型晶体管，包括塑封体，所述塑封体内设置有铜基板和IGBT芯片，所述铜基板和所述IGBT芯片间设置有绝缘件，所述绝缘件为覆铜陶瓷基板，所述覆铜陶瓷基板与C引脚间、所述IGBT芯片与G引脚间、所述IGBT芯片和快恢复二极管与E引脚间均分别经键合线连接，所述绝缘件与所述铜基板间粘接，所述绝缘件与所述铜基板经陶瓷胶粘接，所述IGBT芯片和所述绝缘件间焊接连接，所述IGBT芯片与所述绝缘件间经焊锡连接。

本实用新型提供的绝缘栅双极型晶体管，包括塑封体，塑封体内设置有铜基板和IGBT芯片，铜基板和IGBT芯片间设置有绝缘件。通过在塑封体中设置绝缘件，使得在绝缘栅双极型晶体管与其他器件连接时，无需在绝缘栅双极型晶体管的背面粘接绝缘材料进行绝缘，操作简单，且具有较高的一致性，降低了高压击穿的风险，提升用户使用体验。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的绝缘栅双极型晶体管的内部剖面结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的绝缘栅双极型晶体管的外观结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的绝缘栅双极型晶体管的电路结构示意图。

附图中标记如下：

塑封体1、IGBT芯片2、焊锡层3、覆铜陶瓷基板4、陶瓷胶5、铜基板6、FRD7。

具体实施方式

本实用新型实施例公开了一种绝缘栅双极型晶体管，以解决绝缘栅双极型晶体管在使用时需粘贴绝缘材料操作不便的问题。

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-图3，图1为本实用新型实施例提供的绝缘栅双极型晶体管的内部剖面结构示意图；图2为本实用新型实施例提供的绝缘栅双极型晶体管的外观结构示意图；图3为本实用新型实施例提供的绝缘栅双极型晶体管的电路结构示意图。

在一种具体的实施方式中，绝缘栅双极型晶体管包括塑封体1，塑封体1内设置有铜基板6和IGBT芯片2，铜基板6和IGBT芯片2间设置有绝缘件。通过将绝缘件设置在绝缘栅双极型晶体管的塑封体1内部，使得绝缘栅双极型晶体管在与其他器件安装的过程中，无需在绝缘栅双极型晶体管的外部设置绝缘材料，不会引入颗粒杂质，造成绝缘栅双极型晶体管高压击穿，且该装置在使用时操作简单、具有较高的一致性，且降低高压击穿的风险，提升用户的使用体验。

具体的，绝缘件为覆铜陶瓷基板4。覆铜陶瓷基板4是使用DBC技术将铜箔直接烧结在陶瓷表面而制成的一种电子基础材料。覆铜陶瓷基板4具有极好的热循环性、形状稳定、刚性好、导热率高、可靠性高。在其他实施例中，也可以通过其他绝缘材料来达到相同的技术目的，如云母、玻璃、橡胶和树脂等，在其他实施例中，可根据实际的生产需要自行进行设置，均在本实用新型的保护范围内。