[实用新型]基于电压非线性元件的过电压检测及开关电路

权利要求书

1.一种基于电压非线性元件的过电压检测及开关电路，其特征在于，包括半导体开关元件、电压敏感元件、第一电阻器、第二电阻器、稳压二极管、电容器和开关；第二电阻器、稳压二极管和电容器并联连接，对应稳压二极管的阴极的并联端与半导体开关元件的门极或栅极连接，对应稳压二极管的阳极的并联端与半导体开关元件阴极或源极连接；第一电阻器与电压敏感元件串联连接，串联的一端与开关一端连接，串联的另一端与半导体开关元件的门极或栅极连接；负载一端与开关一端连接，负载的另一端与半导体开关元件的阳极或漏极连接；开关的另一端及半导体开关元件的阴极或源极与分别与电源两端连接；所述电压敏感元件为压敏电阻或双向瞬态抑制器；所述半导体开关元件为单向可控硅、N沟道场效应管或双向可控硅。

2.根据权利要求1所述的基于电压非线性元件的过电压检测及开关电路，其特征在于，第一电阻器为限流电阻，选择的阻值将流过压敏电阻的导通电流限制在mA数量级范围以内；当压敏电阻导通电流达到0.1mA时，第二电阻器上的电压触发单向可控硅。

3.根据权利要求1所述的基于电压非线性元件的过电压检测及开关电路，其特征在于，所述电源端连接交流电源或直流电源。

4.根据权利要求1所述的基于电压非线性元件的过电压检测及开关电路，其特征在于，所述单向可控硅的耐压大于所连接的直流电源电压的两倍或交流电源电压峰值的两倍。

5.根据权利要求4所述的基于电压非线性元件的过电压检测及开关电路，其特征在于，所述单向可控硅的耐压参数为800V。

6.根据权利要求1所述的基于电压非线性元件的过电压检测及开关电路，其特征在于，所述稳压二极管采用电压参数为2.5V的稳压二极管。

7.根据权利要求1所述的基于电压非线性元件的过电压检测及开关电路，其特征在于，所述电容器采用0.1～0.5微法电容器。

8.根据权利要求7所述的基于电压非线性元件的过电压检测及开关电路，其特征在于，所述电容器采用0.22微法电容器。