[发明专利]一种控制辅助图形信号误报率的OPC建模方法

说明书

一种控制OPC辅助图形信号误报率的建模方法，包括设计测试主图形；所述测试主图形通常包含一维和二维的标准图形，并设计多组辅助图形添加在标准一维和二维图形周边；收集测试主图形的在线线宽量测数据及所述多组辅助图形成像数据；建立测试主图形版图与线宽量测数据之间的对应文件，增加多组辅助图形的成像图形信息与信号监测数据之间的对应点；进行模型拟合运算，使模型的线宽值与量测的线宽值残余误差达到统计最小，同时在模型拟合运算过程中增加监控多组辅助图形的成像图形信号；输出模型进行OPC图形修正。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，尤其涉及光学邻近效应修正(opticalproximity correction，简称OPC)领域，具体地，涉及一种控制辅助图形信号误报率的OPC建模方法。

背景技术

随着集成电路的持续发展，制造技术不断地朝更小的尺寸发展，光刻制程已经成为限制集成电路向更小特征尺寸发展的主要瓶颈。在深亚微米的半导体制造中，关键图形的尺寸已经远远小于光源的波长，由于光的衍射效应，导致光罩投影至硅片上面的图形有很大的变化，如线宽的变化，转角的圆化，线长的缩短等各种光学临近效应。

为了补偿这些效应产生的影响，通常会直接修改设计出来的图形，然后再进行光刻版的制版工作；例如，将线尾修改成hammer head之类的图形等。这个修正的迭代过程就叫光刻邻近效应修正，即所谓的OPC。

一般来说0.18微米以下的光刻制程需要辅以OPC才可得到较好的光刻质量。在65nm及以下先进工艺中，亚分辨率辅助图形(Assist Feature)技术被广泛应用于光学邻近效应修正OPC中。辅助图形技术利用光学原理在主图形(Main Feature)附近加入无法成像的辅助图形，增强主图形对比度从而进一步扩大光刻工艺窗口。

辅助图形的设计尺寸通常是主图形的一半甚至更小，然而，辅助图形的添加在提升光刻工艺窗口的同时，也会引入一些问题，比如辅助图形在硅片上实现成像(AF print)，小尺寸的光刻胶保形性较差容易引起光刻胶剥离从而在硅片上引入缺陷。

在OPC图形修正过程中，通常会监控辅助图形的信号强度，并报出辅助图形成像的情况，辅助图形的信号误报会浪费图形修正中的运算资源，并给出错误判断。

请参阅图1，图1所示为现有技术的OPC建模方法流程图。如图所示，在现有技术的建模方法中，没有专门针对辅助图形的信号进行拟合运算，通常在选定辅助图形尺寸以后，直接建OPC模型，并输出模型进行版图图形修正。当图模型验证过程中出现AF误报时，需要重新进行模型的拟合运算，才能用于版图图形修正，浪费了大量的运算时间，并容易给出错误的判断。

发明内容

针对现有技术存在的不足，本发明提供了一种提高OPC模型精度的方法，其通过在模型拟合运算中直接加入辅助图形信号运算，无需通过后期的模型验证反复进行辅助图形情况的确认，控制了模型的辅助图形信号误报率，提高了工作效率。

为实现上述目的，本发明的技术方案如下：

一种控制OPC辅助图形信号误报率的建模方法，包括如下步骤：

步骤S1：设计测试主图形；所述测试主图形通常包含一维和二维的标准图形，并设计多组辅助图形添加在标准一维和二维图形周边；

步骤S2：收集所述测试主图形的在线线宽量测数据及所述多组辅助图形成像数据；

步骤S3：建立所述测试主图形版图与线宽量测数据之间的对应文件，增加所述多组辅助图形的成像图形信息与信号监测数据之间的对应点；

步骤S4：进行模型拟合运算，使所述模型的线宽值与量测的线宽值残余误差达到统计最小，同时在模型拟合运算过程中增加监控所述多组辅助图形的成像图形信号；

步骤S5：输出所述模型进行OPC图形修正。