[发明专利]一种能级势垒高度连续变化的量子点固态膜及其制备方法

说明书

本发明公开一种势垒高度连续变化的量子点固态膜及其制备方法，其中，所述量子点固态膜包括N个在径向方向上依次排布的量子点薄膜单元，其中N≥3；所述N个量子点薄膜单元的能级势垒高度在径向方向上呈现连续升高或降低的趋势。本发明提供的量子点固态膜的势垒高度可连续升高或降低，从而与各传输层的势垒高度相匹配；进一步，所述量子点固态膜还能够有效调控电子和空穴的注入势垒高度，有利于电子与空穴的复合从而提高器件效率；因此，本发明有效解决了交联技术只能改变量子点固态膜与传输层界面之间的注入势垒，而不能够使整个量子点固态膜的势垒高度连续升高或降低，也不能够有效提高电子与空穴复合几率的问题。

技术领域

本发明涉及量子点技术领域，尤其涉及一种能级势垒高度连续变化的量子点固态膜及其制备方法。

背景技术

量子点发光材料作为新一代最具潜力的显示材料，是因其具有较好的量子效率、色纯度等优点。然而针对量子点发光材料制备的器件有很多器件结构，不同的量子点发光材料对应不同的器件结构。

通常，在使用量子点发光材料组装成器件时会有很多界面层的优化与修饰，例如对量子点与传输层的优化，目的是为了调解器件内的电荷的传输，降低电子空穴的注入势垒、有利于提高器件的效率。

然而现有技术的研究大多都停留在对量子点固态膜与传输层材料之间进行交联处理，这种处理不能够实现整个量子点固态膜能级势垒高度连续的提高和降低，不能够从根本上调控整个量子点发光层的势垒，也不能够很有效的调控电子与空穴的注入势垒，从而导致器件的性能较差。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种能级势垒高度连续变化的量子点固态膜及其制备方法，旨在解决现有技术不能够从根本上改变整个量子点固态膜的能级势垒高度，也不能够调控电子与空穴的注入势垒，导致器件性能较差的问题。

本发明的技术方案如下：

一种能级势垒高度连续变化的量子点固态膜，其中，所述量子点固态膜包括N个在径向方向上依次排布的量子点薄膜单元，其中N≥3；所述N个量子点薄膜单元的能级势垒高度在径向方向上呈现连续升高或降低的趋势。

所述的能级势垒高度连续变化的量子点固态膜，其中，所述量子点薄膜单元由量子点材料和具有同时提高量子点材料价带和导带作用的表面修饰剂组成。

所述的能级势垒高度连续变化的量子点固态膜，其中，不同量子点薄膜单元中的表面修饰剂均不相同，且在径向方向上越向外，所述表面修饰剂对量子点材料价带和导带的提高幅度越高或越低。

所述的能级势垒高度连续变化的量子点固态膜，其中，所述表面修饰剂为溴化物、碘化物、硫氰酸铵、1,4苯二硫酚、1,3苯二硫酚、1,2苯二硫酚、氟化物、乙二硫醇、巯基乙酸、乙二胺和苯硫酚中的一种或多种。

所述的能级势垒高度连续变化的量子点固态膜，其中，所述量子点薄膜单元的厚度为3~10nm。

所述的能级势垒高度连续变化的量子点固态膜，其中，所述量子点材料为二元相量子点、三元相量子点或四元相量子点中的一种或多种。

所述的能级势垒高度连续变化的量子点固态膜，其中，所述二元相量子点为CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS中的一种或多种。