[发明专利]发光光电装置

权利要求书

1.一种发光光电装置(1)，该装置包括：

-具有发射表面(44)的、能够发射称作“激励光辐射”的光辐射的至少一个电致发光二极管(40)；以及

-覆盖所述发射表面(44)的光致发光材料(31)，该光致发光材料包括适于将穿过所述发射表面(44)的所述激励光辐射至少部分地转换成称作“光致发光光辐射”的光辐射的光致发光颗粒；

该装置的特征在于，该装置包括与所述电致发光二极管(40)相邻的至少一个光电二极管(50)，该光电二极管具有被所述光致发光材料(31)覆盖的接收表面(54)，并适于检测穿过所述接收表面(54)的激励辐射和/或穿过所述接收表面(54)来自于所述光致发光材料(31)的光致发光辐射的至少一部分；

其中，所述电致发光二极管(40)和所述光电二极管(50)每个都具有台面结构，所述发射表面(44)和所述接收表面(54)是大致共平面的；

其中，所述电致发光二极管(40)和所述光电二极管(50)每个都包括根据第一导通类型掺杂的第一半导体部分(41、51)和根据与所述第一导通类型相反的第二导通类型掺杂的第二半导体部分(42、52)，所述第一半导体部分和第二半导体部分分别是大致共平面的，并由组成相同的材料制成；

其中，所述电致发光二极管的掺杂的第一半导体部分(41)和所述光电二极管的掺杂的第一半导体部分(51)每个都具有这样的侧面：该侧面包括由所述掺杂的第一半导体部分(41、51)的与其第一部位(41a、51a)相对的第二部位(41b、51b)形成的凹进表面(46、56)；

其中，侧向电气连接元件(48、58)这样地在所述电致发光二极管(40)和相邻的光电二极管(50)之间延伸，以与所述掺杂的第一半导体部分(41、51)的凹进表面(46、56)电气接触，该侧向连接元件还通过覆盖所述台面结构的侧面的电介质部分(47、57)与掺杂的第二半导体部分(42、52)和位于所述掺杂的第一半导体部分(41、51)和所述掺杂的第二半导体部分(42、52)之间的活性区域(43、53)电绝缘；以及

其中，所述装置还包括：控制芯片，其位于所述电致发光二极管(40)的和所述光电二极管(50)的与所述发射表面(44)和所述接收表面(54)相对的一侧，所述控制芯片连接到所述侧向电气连接元件(48、58)并且包括与所述电致发光二极管(40)和相邻的光电二极管(50)连接的单独的元件。

2.根据权利要求1所述的光电装置(1)，其中，所述电致发光二极管和所述光电二极管每个都包括位于所述掺杂的第一半导体部分(41、51)和所述掺杂的第二半导体部分(42、52)之间的活性区域(43、53)，这些活性区域大致共平面，并由组成相同的材料制成。

3.根据权利要求2所述的光电装置(1)，其中，所述电致发光二极管的和所述光电二极管的活性区域(43、53)每个都包括至少一个第一量子阱(2)，所述电致发光二极管的活性区域(43)的所述第一量子阱适于发射具有称作“激励波长”的波长的激励光辐射。

4.根据权利要求3所述的光电装置(1)，其中，所述电致发光二极管的和所述光电二极管的活性区域(43、53)每个都包括至少一个第二量子阱(3)，所述光电二极管的活性区域(53)的所述量子阱适于检测所述光致发光光辐射。

5.根据权利要求4所述的光电装置(1)，其中，所述第二量子阱(3)位于N型掺杂的第一半导体部分(41、51)和所述第一量子阱(2)之间。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的光电装置(1)，该装置包括布置在所述光致发光材料(31)和所述光电二极管的接收表面(54)之间的光滤波器(4)，该滤波器适于传输所述光致发光辐射并阻挡所述激励辐射的传输。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的光电装置(1)，该装置还包括适于根据被所述光电二极管(50)检测到的光辐射的检测信号来改变所述电致发光二极管发射的激励光辐射的控制装置。