[发明专利]GOA电路结构

权利要求书

1.一种GOA电路结构，其特征在于，包括：柔性基板(1)、设于所述柔性基板(1)正面的第一TFT层(2)、设于所述柔性基板(1)背面的第二TFT层(3)、以及分别穿过设于柔性基板(1)的多个过孔(4)分别电性连接所述第一TFT层(2)与所述第二TFT层(3)的多条走线(5)。

2.如权利要求1所述的GOA电路结构，其特征在于，所述柔性基板(1)的材料为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、环烯烃共聚物、或者聚醚砜树脂。

3.如权利要求1所述的GOA电路结构，其特征在于，所述柔性基板(1)的厚度为10至300微米。

4.如权利要求1所述的GOA电路结构，其特征在于，所述第一TFT层(2)与第二TFT层(3)均包括至少一个TFT，每一个TFT均包括设于所述柔性基板(1)上的栅极(21)、覆盖所述栅极(21)的栅极绝缘层(22)、设于所述栅极(21)上的栅极绝缘层(22)上的半导体层(23)、以及设于栅极绝缘层(22)上的分别与所述半导体层(23)的两端相接触的源极(24)与漏极(25)。

5.如权利要求1所述的GOA电路结构，其特征在于，所述过孔(4)与所述走线(5)的数量一一对应，每一个过孔(4)中设有一条走线(5)。

6.如权利要求1所述的GOA电路结构，其特征在于，每一个过孔(4)设有至少两条走线(5)，同一个过孔(4)中的各条走线(5)通过绝缘层分隔。

7.如权利要求1所述的GOA电路结构，其特征在于，所述第二TFT层(3)以及设于所述柔性基板(1)背面的走线(5)上还覆盖有保护层。

8.如权利要求7所述的GOA电路结构，其特征在于，所述保护层的材料为氧化硅。

9.如权利要求1所述的GOA电路结构，其特征在于，所述多个过孔(4)通过激光打孔工艺、或化学腐蚀工艺制作。

10.如权利要求1所述的GOA电路结构，其特征在于，所述走线(5)的材料为铜、或石墨烯。