[发明专利]用于U波段可重构环形天线的SPIN二极管的制造方法

权利要求书

1.一种用于U波段可重构环形天线的SPIN二极管的制造方法，其特征在于，所述SPIN二极管用于制备U波段可重构环形天线，所述环形天线包括：

半导体基片(1)；

介质板(2)；

第一SPIN二极管环(3)、第二SPIN二极管环(4)、第一直流偏置线(5)及第二直流偏置线(6)，均设置于所述半导体基片(1)上；

耦合式馈源(7)，设置于所述介质板(2)上；

其中，所述可重构环形天线的SPIN二极管的制造方法包括如下步骤：

选择SOI衬底(101)；

刻蚀所述SOI衬底(101)形成隔离槽，填充所述隔离槽形成隔离区(301)；

刻蚀所述SOI衬底(101)形成P区深槽(501)和N区深槽(502)；

在所述P区深槽(501)及所述N区深槽(502)内采用离子注入的方式形成P+有源区(601)和N+有源区(602)；

在所述SOI衬底(101)上生成引线。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀所述SOI衬底(101)形成隔离槽，包括：

在所述SOI衬底(101)表面形成第一保护层；

利用光刻工艺在所述第一保护层上形成第一隔离区图形；

利用干法刻蚀工艺在所述第一隔离区图形的指定位置处刻蚀所述第一保护层及所述SOI衬底(101)以形成所述隔离槽。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述SOI衬底(101)表面形成第一保护层，包括：

采用CVD的方法在所述SOI衬底(101)上连续生长两层材料，其中，第一层为SiO2层(201)，第二层为SiN层(202)。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀所述SOI衬底(101)形成P区深槽(501)和N区深槽(502)，包括：

在所述SOI衬底(101)表面形成第二保护层；

利用光刻工艺在所述第二保护层上形成第二隔离区图形；

利用干法刻蚀工艺在所述第二隔离区图形的指定位置处刻蚀所述第二保护层及所述SOI衬底(101)以形成所述P区深槽(501)和所述N区深槽(502)；其中，所述P区深槽(501)和N区深槽(502)的深度为0.5微米～30微米。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述SOI衬底(101)表面形成第二保护层，包括：

采用CVD的方法在所述SOI衬底(101)上连续生长两层材料，其中，第一层为SiO2层(401)，第二层为SiN层(402)。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述P区深槽(501)及所述N区深槽(502)内采用离子注入的方式形成P+有源区(601)和N+有源区(602)，包括：

平整化所述P区深槽(501)和所述N区深槽(502)；

对所述P区深槽(501)和所述N区深槽(502)进行离子注入以形成第一P+有源区和第一N+有源区；填充所述P区深槽(501)和所述N区深槽(502)以形成P接触区和N接触区；对所述P接触区和所述N接触区所在区域进行离子注入以在所述SOI衬底(101)的顶层硅内形成第二P+有源区和第二N+有源区；

其中，所述第一N+有源区为沿离子扩散方向距所述N区深槽(502)侧壁和底部深度小于1微米的区域，所述第一P+有源区为沿离子扩散方向距所述P区深槽(501)侧壁和底部深度小于1微米的区域。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述SOI衬底(101)上生成引线，包括：

在所述SOI衬底(101)上生成二氧化硅；

利用退火工艺激活所述P+有源区(601)和所述N+有源区(602)中的杂质；

在P接触区和N接触区光刻引线孔以形成引线；

钝化处理并光刻PAD以形成所述SPIN二极管。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体基片(1)为Si基SOI半导体片，所述第一SPIN二极管环(3)包括第一SPIN二极管串(8)，所述第二SPIN二极管环(4)包括第二SPIN二极管串(9)，且所述第一SPIN二极管环(3)及所述第二SPIN二极管环(4)的周长等于所要接收信号的电磁波波长。