[发明专利]硅片水膜去水装置

说明书

本发明涉及硅片生产设备技术领域，尤其是涉及一种硅片水膜去水装置，包括水槽，所述水槽的一端为硅片的输入端，所述水槽的另一端为硅片的输出端，所述水槽内转动设置有用于输送硅片的输送辊，所述水槽外设有用于驱动输送辊转动的电机，所述水槽上设有压平板，所述压平板位于所述输送辊上方，所述压平板具有水平段和导向段，所述导向段位于水槽上靠近输入端的一端，所述水平段为平面，本发明能够有效的去除硅片水膜多余的水，使得水膜均匀铺平在硅片上，良好的适用性，降低了生产成本，避免了硅片上的水膜会溢出在刻蚀槽造成刻蚀槽内酸性溶液浓度变小，为了达到要求的浓度，要不断的增加供酸量，无形中增加了生产成本的问题。

技术领域

本发明涉及硅片生产设备技术领域，尤其是涉及一种硅片水膜去水装置。

背景技术

所谓刻蚀，实际上就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。随着微制造工艺的发展；刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法，而湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程，是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除为被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。

刻蚀机利用水膜喷淋覆盖技术，在硅片上喷淋水膜，利用SiO2亲水性将水吸附在表面，使扩散面PN结不易遭到破坏，在减小漏电同时最大限度的增加受光面积，提升效率。

在非扩散面加上水膜是防止硅片过刻的重要途径，而在实际生产过程中，硅片上的水膜会溢出在刻蚀槽造成刻蚀槽内酸性溶液浓度变小，为了达到要求的浓度，要不断的增加供酸量，无形中增加了生产成本。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：为了解决硅片上的水膜会溢出在刻蚀槽造成刻蚀槽内酸性溶液浓度变小，为了达到要求的浓度，要不断的增加供酸量，无形中增加了生产成本的问题，现提供了一种硅片水膜去水装置。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种硅片水膜去水装置，其特征在于：包括水槽，所述水槽的一端为硅片的输入端，所述水槽的另一端为硅片的输出端，所述水槽内转动设置有用于输送硅片的输送辊，所述水槽外设有用于驱动输送辊转动的电机，所述水槽上设有压平板，所述压平板位于所述输送辊上方，所述压平板具有水平段和导向段，所述导向段位于水槽上靠近输入端的一端，所述水平段为平面，所述导向段沿硅片的输送方向为向下倾斜的第一斜面，所述导向段的低端与所述水平段固定连接，所述压平板下底面设有分液板，所述分液板位于导向段处，所述分液板下底面与所述水平段下底面相互水平设置，所述分液板沿输送辊轴向的两侧均设有第二斜面，所述分液板两侧的第二斜面沿硅片的输送方向由内向外逐渐向上倾斜，所述水槽上设有用于控制压平板靠近或者远离输送辊的调节机构。硅片由水槽的输入端输入，通过电机带动输送辊转动并对硅片输送，然后通过压平板上的导向段及分液板对硅片上水膜多余的水进行分离排出，再由压平板上的水平段对硅片上的水膜进行铺平及抹匀处理，再由水槽的输出端输出，使得硅片上的水平保持均匀，保证了在硅片进入蚀刻槽后，硅片上的水膜不会溢出滴落的蚀刻槽内，同时通过控制调节机构，可适用于不同厚度的硅片。

进一步地，所述调节机构包括固定设置在水槽上的支架和螺杆，所述压平板滑动设置支架上，所述螺杆的一端与所述支架螺纹连接，所述螺杆的另一端与所述压平板转动连接。通过调节支架上的螺杆可以调节压平板与输送辊之间的间距，方便快捷。

进一步地，所述压平板上设有滑块，所述支架上设有沿水槽竖直方向设有滑槽，所述滑块滑动设置在滑槽内。通过滑块与滑槽配合，对压平板起到一定的限位作用，使得压平板在使用时稳定可靠。

进一步地，所述螺杆远离压平板的一端设有手轮。通过调节手轮能够快速调节压平板与输送辊之间的间距。