[发明专利]一种利用模板法制备碳化硅泡沫陶瓷的工艺

权利要求书

1.一种利用模板法制备碳化硅泡沫陶瓷的工艺，其特征在于，包括如下步骤：

第1步，按重量份计，将碳化硅粉体20～30份、碳酸钠10～15份，混合均匀后，放置于石英舟中，加热升温至720～740℃，升温速度是6～10℃/分，保温，保温时间是4～5分钟，放冷后，将固体物用稀盐酸洗涤至恒重，得到刻蚀碳化硅；

第2步，按重量份计，将刻蚀碳化硅20～30份、脂肪酸4～10份、有机溶剂10～20份混合均匀，升温回流，放冷后，将固体物滤出，减压蒸出有机溶剂，得到包覆有机物模板的碳化硅粉体；

第3步，按重量份计，将硝酸铝4～6份、5～10wt%的氨水50～100份、阴离子表面活性剂0.5～3份均匀混合，于110℃～130℃密闭保温反应4～6h后自然冷却，对产物进行抽滤、洗涤、干燥，再将得到的产物在500～550℃下煅烧5～7h，自然冷却至室温，即得氧化铝纳米纤维；

第4步，按重量份计，将包覆有机物模板的碳化硅粉体30～40份、氧化铝纳米纤维4～5份、水200～280份混合均匀，进行球磨，再加入非离子表面活性剂0.5～2份，高速分散后，得到泡沫原料，再经过减压干燥之后，进行烧结后，得到泡沫陶瓷。

2.根据权利要求1所述的利用模板法制备碳化硅泡沫陶瓷的工艺，其特征在于，所述的第2步中，脂肪酸是含有12～18个碳原子的直链或者带支链的脂肪酸；有机溶剂是酯类或者酮类溶剂。

3.根据权利要求1所述的利用模板法制备碳化硅泡沫陶瓷的工艺，其特征在于，所述的第4步中，减压干燥的温度是80～90℃；烧结步骤的程序是：以4～8℃/分的速度升温至1200～1300℃，保持3～6h，再自然冷却。