[发明专利]后抛光晶圆清洁

权利要求书

1.一种用于半导体晶圆处理的设备，其包含：

抛光级，经组配用于抛光该半导体晶圆的表面；

清洗级，经组配用于清洁该半导体晶圆的该表面；以及

混合器，与该清洗级连接并且经组配用于供应至少去离子水(DIW)与惰性气体的混合物至该清洗级。

2.如权利要求1所述的设备，其更包含与该混合器连接的惰性气体供应器以及与该混合器连接的DIW供应器。

3.如权利要求2所述的设备，其中该惰性气体供应器组配成用来加压该惰性气体。

4.如权利要求1所述的设备，其中该混合器为文氏混合器。

5.如权利要求1所述的设备，其中该抛光级经组配用于对该半导体晶圆的该表面进行化学机械平坦化。

6.如权利要求1所述的设备，其更包含该抛光与清洗站下游处所配置的刷清洁站。

7.一种处理半导体晶圆的表面的方法，该方法包含：

移动该半导体晶圆至晶圆处理设备的清洗级；

供应至少去离子水(DIW)与惰性气体的混合物至该清洗级；以及

在该清洗级中以已供应的该混合物清洗该半导体晶圆的该表面。

8.如权利要求7所述的方法，其中该惰性气体为已加压氮。

9.如权利要求7所述的方法，其更包含在完成该清洗程序后，刷清洁该半导体晶圆的该表面。

10.如权利要求7所述的方法，其更包含在进行该清洗程序前，先抛光该半导体晶圆的该表面。

11.如权利要求10所述的方法，其中该抛光程序包含在该半导体晶圆的该表面与用于该抛光程序的抛光垫之间布置浆料组成物。

12.如权利要求7所述的方法，其更包含：

当该半导体晶圆处于第一状态时，在第一抛光垫与该半导体晶圆的该表面之间布置第一浆料组成物；

当该半导体晶圆处于第二状态时，在第二抛光垫与该半导体晶圆的该表面之间布置第二浆料组成物；

供应该DIW与该惰性气体的该混合物至另一清洗级；

于第一开始时间，通过该第一抛光垫与第一浆料组成物，在该半导体晶圆的该表面上开始第一抛光；

于该清洗级中完成该第一抛光后，以已供应的该混合物清洗该半导体晶圆的该表面；以及

于该另一清洗级中完成该第二抛光后，以已供应的该混合物清洗该半导体晶圆的该表面。

13.如权利要求7所述的方法，其更包含：

当第一半导体晶圆处于第一状态时，在第一抛光垫与该第一半导体晶圆之间布置第一浆料组成物；

当第二半导体晶圆处于第二状态时，在第二抛光垫与该第二半导体晶圆之间布置第二浆料组成物；

于第一开始时间，通过该第一抛光垫与第一浆料组成物，在该第一半导体晶圆上开始第一抛光；

于有别于该第一开始时间的第二开始时间，通过该第二抛光垫与第二浆料，在该第二半导体晶圆上开始第二抛光；以及

在完成该第一或第二抛光后，清洗该第一与第二半导体晶圆其中至少一者。

14.如权利要求7所述的方法，其中该混合物通过混合器供应至该清洗级，以及更包含自惰性气体供应器供应该惰性气体至该混合器，并且自DIW供应器供应该DIW至该混合器。

15.如权利要求7所述的方法，其中该半导体晶圆为包含FDSOI装置的SOI晶圆。

16.一种用于清洁已抛光半导体晶圆的表面的后抛光清洁方法，该方法包含：

以包含去离子水(DIW)与已加压惰性气体的清洗流体清洗该已抛光半导体晶圆的该表面。

17.如权利要求16所述的方法，其中该已加压惰性气体包含氮。

18.如权利要求16所述的方法，其更包含刷清洁该半导体晶圆的已清洁且已抛光的该表面。

19.如权利要求16所述的方法，其更包含抛光该半导体晶圆的已清洗且已抛光的该表面以获得该晶圆的进一步已抛光表面，且以该清洗流体清洗该已抛光半导体晶圆的该进一步已抛光表面。

20.如权利要求16所述的方法，其中该半导体晶圆为包含FDSOI装置的SOI晶圆。