[发明专利]含有贵金属纳米材料的QLED及其制备方法

说明书

技术领域

本发明属于平板显示技术领域，尤其涉及一种含有贵金属纳米材料的QLED及其制备方法。

背景技术

量子点具有发光峰窄、量子产额高等优点，加上可利用印刷工艺制备，所以基于量子点的发光二极管(即量子点发光二极管：QLED)近来受到人们的普遍关注，其器件性能指标也发展迅速。为了提高量子点的发光效率，通常在QLED器件的空穴注入层中掺入贵金属的纳米颗粒或空穴注入层上旋涂一层纳米颗粒，利用贵金属纳米颗粒的局域表面等离子体共振(LSPR)增强量子点的发光效率。当金属纳米颗粒成膜后，纳米颗粒会相距很近，这样在入射电场的驱动下，它们之间的相互作用无法忽略，当两个金属纳米颗粒靠得很近时，一个偶极子的辐射场会破坏相邻的偶极子的辐射场，造成自由电子所受的力的变化，从而导致共振频率的变化，影响其增强效应。另外，贵金属纳米颗粒的表面缺陷会导致电子和空穴无辐射复合，影响发光效率。因此，如何进一步修饰贵金属纳米颗粒，更好利用其LSRP增强效应，从而提高QLED器件的发光效率是目前研究的一个重点。

发明内容

本发明的目的在于提供一种含有贵金属纳米材料的QLED及其制备方法，旨在解决现有含有贵金属纳米材料的QLED中的贵金属纳米颗粒影响LSRP增强效应、且贵金属纳米颗粒的表面缺陷会导致电子和空穴无辐射复合，同时影响发光效率的问题。

本发明是这样实现的，一种含有贵金属纳米材料的QLED，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述QLED中含有贵金属纳米材料，且所述贵金属纳米材料为纳米贵金属核壳结构复合材料，包括贵金属核和包裹所述贵金属核的壳层结构；

所述空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层中的至少一层掺杂有所述纳米贵金属核壳结构复合材料；或所述纳米贵金属核壳结构复合材料作为纳米贵金属核壳层设置在空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层的任一相邻两层结构之间。

以及，一种含有贵金属纳米材料的QLED的制备方法，包括以下步骤：

制备纳米贵金属核壳结构复合材料；

在空穴注入材料、空穴传输材料、量子点发光材料、电子传输材料、电子注入材料中的至少一种中添加所述纳米贵金属核壳结构复合材料，制备对应的功能层材料；

提供阳极，依次沉积空穴注入材料、空穴传输材料、量子点发光材料、电子传输材料、电子注入材料，得到对应的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层，在所述电子注入层上形成阴极。

一种含有贵金属纳米材料的QLED的制备方法，包括以下步骤：

制备纳米贵金属核壳结构复合材料；

提供阳极，依次沉积空穴注入材料、空穴传输材料、量子点发光材料、电子传输材料、电子注入材料，得到对应的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层，在所述电子注入层上形成阴极，且在所述空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层的任一相邻两层结构之间沉积有所述纳米贵金属核壳结构复合材料，形成纳米贵金属核壳层。

本发明提供的含有贵金属纳米材料的QLED，含有纳米贵金属核壳结构复合材料，所述纳米贵金属核壳结构复合材料掺杂在空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层中的至少一层中，或所述纳米贵金属核壳结构复合材料作为纳米贵金属核壳层设置在空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层的任一相邻两层结构之间。贵金属纳米颗粒经过包裹后形成的纳米贵金属核壳结构，可以有效调节贵金属纳米颗粒的间距以及贵金属纳米颗粒与量子点发光材料的距离，从而有效发挥贵金属纳米颗粒的LSRP增强效应；同时，所述纳米贵金属核壳结构复合材料可以有效减少贵金属纳米颗粒的表面缺陷，减少电子和空穴无辐射复合，提高QLED器件的发光效率。

本发明提供的含有贵金属纳米材料的QLED的制备方法，只需将纳米贵金属核壳结构复合材料掺杂中空穴注入材料、空穴传输材料、量子点发光材料、电子传输材料、电子注入材料的一种中，或沉积在所述空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层的任一相邻两层结构之间即可，可采用溶液法加工制备获得，方法简单易控，可实现产业化生产。

附图说明

图1是本发明实施例1提供的纳米贵金属核壳结构复合材料掺杂在空穴注入层中的QLED结构示意图；

图2是本发明实施例2提供的纳米贵金属核壳结构复合材料掺杂在量子点发光层中的QLED结构示意图；