[发明专利]含有贵金属纳米材料的QLED及其制备方法

权利要求书

1.一种含有贵金属纳米材料的QLED，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其特征在于，所述QLED中含有贵金属纳米材料，且所述贵金属纳米材料为纳米贵金属核壳结构复合材料，包括贵金属核和包裹所述贵金属核的壳层结构；

所述空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层中的至少一层掺杂有所述纳米贵金属核壳结构复合材料；或所述纳米贵金属核壳结构复合材料作为纳米贵金属核壳层设置在空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层的任一相邻两层结构之间。

2.如权利要求1所述的含有贵金属纳米材料的QLED，其特征在于，所述壳层结构的材料为二氧化硅、二氧化钛、碳、聚乙烯吡咯烷酮、高分子材料。

3.如权利要求1所述的含有贵金属纳米材料的QLED，其特征在于，所述壳层结构的厚度为1-100nm。

4.如权利要求1所述的含有贵金属纳米材料的QLED，其特征在于，所述纳米贵金属核壳结构复合材料的贵金属核为金、银、铜、铂及其合金。

5.如权利要求1所述的含有贵金属纳米材料的QLED，其特征在于，所述纳米贵金属核壳结构复合材料的形状包括球形、棒状、立方体、片状。

6.如权利要求1-5任一所述的含有贵金属纳米材料的QLED，其特征在于，所述空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层中的至少一层掺杂有所述纳米贵金属核壳结构复合材料，且以被掺杂的功能层的总重量为100％计，所述纳米贵金属核壳结构复合材料的掺杂重量百分比为0.1-10％。

7.如权利要求1-5任一所述的含有贵金属纳米材料的QLED，其特征在于，所述纳米贵金属核壳结构复合材料作为纳米贵金属核壳层设置在空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层的任一相邻两层结构之间，且所述纳米贵金属核壳层的厚度为1-100nm。

8.如权利要求1-5任一所述的含有贵金属纳米材料的QLED，其特征在于，所述QLED包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其中，所述空穴注入层中掺杂有纳米贵金属核壳结构复合材料，且以所述空穴注入层的总重量为100％计，所述纳米贵金属核壳结构复合材料的掺杂重量百分比为0.1-10％；或

所述QLED包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其中，所述量子点发光层中掺杂有纳米贵金属核壳结构复合材料，且以所述量子点发光层的总重量为100％计，所述纳米贵金属核壳结构复合材料的掺杂重量百分比为0.1-10％；或

所述QLED包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其中，所述电子传输层中掺杂有纳米贵金属核壳结构复合材料，且以所述电子传输层的总重量为100％计，所述纳米贵金属核壳结构复合材料的掺杂重量百分比为0.1-10％。

9.一种含有贵金属纳米材料的QLED的制备方法，包括以下步骤：

制备纳米贵金属核壳结构复合材料；

在空穴注入材料、空穴传输材料、量子点发光材料、电子传输材料、电子注入材料中的至少一种中添加所述纳米贵金属核壳结构复合材料，制备对应的功能层材料；

提供阳极，依次沉积空穴注入材料、空穴传输材料、量子点发光材料、电子传输材料、电子注入材料，得到对应的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层，在所述电子注入层上形成阴极。

10.一种含有贵金属纳米材料的QLED的制备方法，包括以下步骤：

制备纳米贵金属核壳结构复合材料；

提供阳极，依次沉积空穴注入材料、空穴传输材料、量子点发光材料、电子传输材料、电子注入材料，得到对应的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层，在所述电子注入层上形成阴极，且在所述空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层的任一相邻两层结构之间沉积有所述纳米贵金属核壳结构复合材料，形成纳米贵金属核壳层。