[发明专利]一种晶体硅的线切割的方法

权利要求书

1.一种晶体硅的线切割方法，所述方法通过线切割机进行，并包括以下步骤：

(1)在线砂浆的配制

配制在线砂浆，所述在线砂浆为包含聚乙二醇和碳化硅颗粒的混合砂浆，密度为1.660-1.675kg/L，粘度为220-260mPa·s；

(2)导轮加工

开槽夹角为70-80°，槽深为190±10μm，槽距补偿为7-17μm以及V或U型槽的开槽工艺加工所述线切割机的导轮；

(3)晶体硅切割

设定结构线的速度为9.5-15m/s，张力为R/L：25-20N/18-24N，待切割晶体硅的进给速度为0.255-0.500mm/min，所述在线砂浆的流量为110-150kg/min，温度为17-23℃且砂浆更换系数为0.3-0.4kg在线砂浆/mm进行切割，其中，在切割前依硅块有效切割长度和砂浆更换系数添加砂浆，即砂浆添加量＝有效切割长度*砂浆更换系数，其中所述砂浆更换系数为0.3-0.4kg在线砂浆/mm。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(1)中，作为硅片切割液的聚乙二醇的粘度为45-50mPa·s，碳化硅颗粒的粒度为1500#，所述在线砂浆的砂液质量比为1.02。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述在线砂浆采用80重量％的再生砂浆和20重量％的新砂浆来制备，其中，所述再生砂浆为通过回收系统回收分离的废旧砂浆，密度为1.660-1.675kg/L，粘度为220-240mpa·s，所述新砂浆为新配制的砂浆，密度为1.660-1.675kg/L，粘度为220-240mpa·s。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，配制所述再生砂浆和所述新砂浆所用的切割液包含0-100重量％的回收聚乙二醇。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(3)中，所述结构线的母线的直径为0.110mm或0.115mm。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(3)中，所述结构线具有垂直正弦波型且为镀有抗氧化层的结构线。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(3)晶体硅切割的具体过程为：将晶体硅块粘在光伏玻璃上，然后固定在切割机进给台上，将结构线依序缠绕至所述线切割机的导轮上，启动线切割机进行切割直到结束，切割结束后将硅棒升起，提升速度为50-100mm/min，待硅棒完全脱离线网后用专用下棒车将硅棒取下，放在下棒推车上，转至清洗车间进行清洗处理。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在提升切好的硅棒的过程中遇到线网夹线时，以0.01-0.03m/s的线速走线或剪开线网完成提棒。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述线切割机开机进行热机5-10分钟后，进行切割。