[发明专利]一种高温氧化物薄膜热电模块在审
申请号: | 201611153080.X | 申请日: | 2016-12-14 |
公开(公告)号: | CN106601901A | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 虞澜;宋世金;邱兴煌;谈文鹏;刘丹丹;刘安安;胡建力 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | H01L35/32 | 分类号: | H01L35/32;H01L35/22 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 650093 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高温 氧化物 薄膜 热电 模块 | ||
技术领域
本发明公开了一种高温氧化物薄膜热电模块,属于功能薄膜材料及器件领域。
背景技术
氧化物基热电材料相比传统合金热电材料,具有高温性能稳定、抗氧化性和无毒性等优点,受到广泛关注,氧化物薄膜热电模块也成为新兴研究焦点。
然而,以块材热电模块为基础逐渐发展、演变形成的氧化物薄膜热电模块,其模块结构并没有脱离传统π型模块的构型,即P、N型氧化物薄膜在基底同一表面平行、交替排列并由金电极串联联结,如附图1所示。π型薄膜热电模块虽然从原理上可实现模块的温差-电转换,但P-N热电对集成度小,没有体现出薄膜材料低维、构型灵活的优势,模块单位面积的输出功率密度较小,且金电极用量大,模块制造成本较高。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:现有π型薄膜热电模块功率密度小、电极成本高的问题。
本发明的目的在于提供一种高温氧化物薄膜热电模块,包括至少一组热电对,所述热电对由P型氧化物薄膜和N型氧化物薄膜组成,P型氧化物薄膜和N型氧化物薄膜分别生长于双面抛光单晶基底的上表面和下表面, P型氧化物薄膜和N型氧化物薄膜呈X形交叉分布,P型氧化物薄膜和N型氧化物薄膜由电极依次连接,形成两个串联通路。
本发明所述P型氧化物薄膜是所有空穴作为主要载流子的薄膜材料,为现有材料,优选的,所述P型氧化物薄膜为Ca3Co4O9、Sr3Co4O9、CaxCoO2、SrxCoO2、NaxCoO2、CuCrO2、CuAlO2中的一种。
本发明所述N型氧化物薄膜是所有电子作为主要载流子的薄膜材料,为现有材料,述N型氧化物薄膜为ZnO、CaMnO3、SrTiO3、In2O3中的一种。
优选的,本发明P型氧化物薄膜和N型氧化物薄膜呈X形交叉分布,交叉夹角为10°~90°。
优选的,本发明双面抛光单晶基底为Al2O3(0001)、LaAlO3(100)、SrTiO3(100)、(LaxSr1-x)(AlyTa1-y)O3(100)中的一种。
优选的,本发明所述双面抛光单晶基底的厚度0.1~0.5mm,长度10~50mm,宽度5~20mm,表面抛光等级Ra≤15Å。
本发明所述电极为所有可以实现P型氧化物薄膜和N型氧化物薄膜的电串联的电极,优选电极为金电极。
优选的,本发明所述电极位于双面抛光单晶基底的侧面,实现P型氧化物薄膜和N型氧化物薄膜的电串联。
本发明的有益效果是:
在相同技术极限所能达到的最小薄膜宽度和薄膜间距下,模块集成度显著提高,单位面积上的输出功率密度显著增大;在相同工作条件下,达到相同输出功率或输出电压所需占用的空间和基底用料减少;显著减少了电极用量,制造成本降低。
附图说明
图1为现有技术π型氧化物薄膜热电模块的构型。
图2为本发明高温氧化物薄膜热电模块的俯视图。
图3为本发明高温氧化物薄膜热电模块的侧视图。
图4为实施例1中高温氧化物薄膜热电模块的俯视图。
图中:1-热电对;11- P型氧化物薄膜;12- N型氧化物薄膜;2-双面抛光单晶基底;3-电极。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明,但本发明的保护范围并不限于所述内容。
实施例1
一种高温氧化物薄膜热电模块,参见附图4,包括两组热电对1,所述热电对由P型氧化物薄膜11和N型氧化物薄膜12组成,P型氧化物薄膜11和N型氧化物薄膜12分别生长于双面抛光单晶基底2的上表面和下表面, P型氧化物薄膜11和N型氧化物薄膜12呈X形交叉分布,夹角为90°;金电极3位于单晶基底的侧面,P型氧化物薄膜11和N型氧化物薄膜12由金电极3依次连接,形成两个串联通路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明理工大学,未经昆明理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611153080.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种LED显示屏模块的封装工艺
- 下一篇:新型压电片结构