[发明专利]一种高温氧化物薄膜热电模块

权利要求书

1.一种高温氧化物薄膜热电模块，其特征在于：包括至少一组热电对，所述热电对由P型氧化物薄膜和N型氧化物薄膜组成，P型氧化物薄膜和N型氧化物薄膜分别生长于双面抛光单晶基底的上表面和下表面， P型氧化物薄膜和N型氧化物薄膜呈X形交叉分布，P型氧化物薄膜和N型氧化物薄膜由电极依次连接，形成两个串联通路。

2.根据权利要求1所述的高温氧化物薄膜热电模块，其特征在于：所述P型氧化物薄膜为Ca₃Co₄O₉、Sr₃Co₄O₉、Ca_xCoO₂、Sr_xCoO₂、Na_xCoO₂、CuCrO₂、CuAlO₂中的一种。

3.根据权利要求1所述的高温氧化物薄膜热电模块，其特征在于：所述N型氧化物薄膜为ZnO、CaMnO₃、SrTiO₃、In₂O₃中的一种。

4.根据权利要求1所述的高温氧化物薄膜热电模块，其特征在于：所述P型氧化物薄膜和N型氧化物薄膜呈X形交叉分布，交叉夹角为10°~90°。

5.根据权利要求1所述的高温氧化物薄膜热电模块，其特征在于：所述双面抛光单晶基底为Al₂O₃(0001)、LaAlO₃(100)、SrTiO₃(100)、(La_xSr_1-x)(Al_yTa_1-y)O₃(100)中的一种。

6.根据权利要求5所述的高温氧化物薄膜热电模块，其特征在于：所述双面抛光单晶基底的厚度0.1~0.5mm，长度10~50mm，宽度5~20mm，表面抛光等级Ra≤15Å。

7.根据权利要求1所述的高温氧化物薄膜热电模块，其特征在于：所述电极为金电极。

8.根据权利要求7所述的高温氧化物薄膜热电模块，其特征在于：所述电极位于双面抛光单晶基底的侧面，实现P型氧化物薄膜和N型氧化物薄膜的电串联。