[发明专利]一种宽光谱太阳能吸收半导体及其制备方法

权利要求书

1.一种宽光谱太阳能吸收半导体，其特征在于，所述半导体的化学分子式为CdIn_2-xFe_xS₄，式中0<x<2。

2.如权利要求1所述的一种宽光谱太阳能吸收半导体，其特征在于，所述半导体的母体半导体为CdIn₂S₄三元化合物，三元化合物CdIn₂S₄中的部分In原子被Fe原子取代形成半导体CdIn_2-xFe_xS₄。

3.如权利要求1所述的一种宽光谱太阳能吸收半导体，其特征在于，半导体CdIn_2-xFe_xS₄中优化的Fe掺杂浓度在0％-10％at之间。

4.一种制造根据权利要求1所述的宽光谱太阳能吸收半导体的制造方法，其特征在于，其制备工艺包括下列步骤：

步骤一：首先按照化学计量比将反应原料真空封装于石英玻璃管中；

步骤二：将石英玻璃管放入程序控温马弗炉中，缓慢升温至第一目标温度，并保温烧结第一预定时间，最后样品随炉冷却至室温；

步骤三：将所得样品在玛瑙研钵中研磨并重新真空封装，升温至第二目标温度再次保温烧结第二预定时间，得到最终的样品。

5.如权利要求4所述的宽光谱太阳能吸收半导体的制造方法，其特征在于，第一目标温度是700-800℃，第一预定时间是24-48小时。

6.如权利要求4所述的宽光谱太阳能吸收半导体的制造方法，其特征在于，第二目标温度为700-800℃，第二预定时间为48-72小时。

7.如权利要求4所述的宽光谱太阳能吸收半导体的制造方法，其特征在于，步骤一中反应原料为单质。

8.如权利要求4所述的宽光谱太阳能吸收半导体的制造方法，其特征在于，步骤一中反应原料为二元化合物。

9.如权利要求4所述的宽光谱太阳能吸收半导体的制造方法，其特征在于，石英玻璃管抽真空采用抽真空-充氩气-抽真空操作流程。