[发明专利]利用斐索干涉仪检测大口径元件膜厚均匀性的方法有效

专利信息
申请号: 201611133619.5 申请日: 2016-12-10
公开(公告)号: CN106756863B 公开(公告)日: 2019-01-29
发明(设计)人: 才玺坤;武潇野;时光;张立超;隋永新;杨怀江 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号: C23C14/54 分类号: C23C14/54
代理公司: 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 代理人: 赵勍毅
地址: 130033 吉林省长春*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 大口径元件 斐索干涉仪 镀膜 膜厚均匀性 面形 改变量 面形测量 预设 检测 预处理 挡板 表面面形 残余应力 面形数据 元件面形 膜厚 相减 测量 修正 测试 优化
【权利要求书】:

1.一种利用斐索干涉仪检测大口径元件膜厚均匀性的方法,其特征在于:包括以下步骤:

对所述大口径元件进行预处理,消除大口径元件内部残余应力;

静置第一预设时间后,利用斐索干涉仪对大口径元件进行面形测量,并标记为初始面形W1;

为大口径元件进行镀膜;

静置第二预设时间后,利用斐索干涉仪再次对镀膜后的大口径元件进行面形测量,并标记为测试面形W2;

利用公式ΔW=W2-W1得到镀膜引起的元件面形改变量ΔW;

利用面形改变量ΔW对膜厚修正挡板进行优化。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:对所述大口径元件进行预处理,消除大口径元件内部残余应力的步骤,具体为:

采用超声波清洗机对所述大口径元件进行清洗或采用加热退火的方法对大口径元件进行处理以消除其内部残余应力。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:静置第一预设时间后,利用斐索干涉仪对大口径元件进行面形测量,并标记为初始面形W1的步骤具体包括:

当第一预设时间达到时,利用斐索干涉仪对大口径元件进行至少两次面形测量;

比较至少两次的面形测量结果是否一致,若是,则记录为初始面形W1,若否,则重复上述步骤。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:为大口径元件进行镀膜的步骤具体包括:

采用具有行星转动系统的镀膜机在所述大口径元件表面镀制膜系。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:在利用公式ΔW=W2-W1得到镀膜引起的元件面形改变量ΔW的步骤之后,利用面形改变量ΔW对膜厚修正挡板进行优化的步骤之前,还包括步骤:

根据实际采用的膜厚修正挡板计算真实元件的膜厚分布,并通过数值计算将膜厚分布转化为面形数据Wt;

比较面形改变量ΔW与面形数据Wt的相关性。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:静置第二预设时间后,利用斐索干涉仪再次对镀膜后的大口径元件进行面形测量,并标记为测试面形W2的步骤具体包括:

当第二预设时间达到时,利用斐索干涉仪对大口径元件进行至少两次面形测量;

比较至少两次的面形测量结果是否一致,若是,则记录为测试面形W2,若否,则重复上述步骤。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:利用公式ΔW=W2-W1计算所述镀膜引起的元件面形改变量ΔW之前,对准所述初始面形与所述测试面形中的预设标记点。

8.根据权利要求4所述的方法,其特征在于:镀膜时采用膜厚修正挡板将大口径元件表面物理厚度调整至接近100%。

9.根据权利要求4所述的方法,其特征在于:采用蒸发或者溅射方法为大口径元件镀膜。

10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述第一预设时间及所述第二预设时间均不小于24h。

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