[发明专利]设备前端模块有效
申请号: | 201611129317.0 | 申请日: | 2016-12-09 |
公开(公告)号: | CN106876309B | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 冈部勉;堀部秀敏 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/677 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;黄浩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 设备 前端 模块 | ||
1.一种EFEM,其特征在于,
具有:
晶圆搬运部,其具有向处理室搬运的晶圆所通过的晶圆搬运室;
装载端口部,其将形成于收纳所述晶圆的容器的主开口与所述晶圆搬运室气密地连接,
所述晶圆搬运部具有:下降气流形成单元,其在所述晶圆搬运室形成下降气流;整流板,其设于所述晶圆搬运室,以所述下降气流的一部分经由所述主开口流入与所述晶圆搬运室连接的所述容器的方式进行导向,
所述装载端口部具有:载置台,其载置所述容器;底部嘴,其与在所述容器的底面中相较于底面中央距所述主开口更远的位置形成的底孔能够连通;气体排出流路,其能够经由所述底部嘴将所述容器的内部的气体排出到所述容器的外部,
所述气体排出流路与所述晶圆搬运室连接。
2.根据权利要求1所述的EFEM,其特征在于,
所述装载端口部具有强制排出单元,其设于所述气体排出流路,强制性地排出所述容器的内部的气体。
3.根据权利要求1或2所述的EFEM,其特征在于,
所述晶圆搬运部具有:用于使所述晶圆搬运室内的气体在所述晶圆搬运室迂回而上升并再次形成所述下降气流的循环流路;将在所述晶圆搬运室和所述循环流路循环的气体清洁化的循环气体清洁化单元。
4.根据权利要求1或2所述的EFEM,其特征在于,
还具有气体放出单元,其设于所述晶圆搬运室,从所述晶圆搬运室向所述主开口放出气体。
5.根据权利要求3所述的EFEM,其特征在于,
还具有气体放出单元,其设于所述晶圆搬运室,从所述晶圆搬运室向所述主开口放出气体。
6.根据权利要求1或2所述的EFEM,其特征在于,
所述装载端口部具备排出气体清洁化单元,其将在所述气体排出流路流动的气体清洁化。
7.根据权利要求1或2所述的EFEM,其特征在于,
还具备容器内嘴,其直立于所述容器内部,在内部形成有经由所述底孔与所述底部嘴连通的容器内流路,且在上下方向上断续或连续地形成有与所述容器内流路连通的流路开口。
8.根据权利要求7所述的EFEM,其特征在于,
所述容器内嘴具有多个由在上下方向上断续或连续地形成的所述流路开口构成的开口列。
9.一种EFEM,其特征在于,
具有:
晶圆搬运部,其具有向处理室搬运的晶圆所通过的晶圆搬运室;
装载端口部,其将形成于收纳所述晶圆的容器的主开口与所述晶圆搬运室气密地连接,
所述晶圆搬运部具有:下降气流形成单元,其在所述晶圆搬运室形成下降气流;整流板,其设于所述晶圆搬运室,以所述下降气流的一部分经由所述主开口流入与所述晶圆搬运室连接的所述容器的方式进行导向,
所述装载端口部具有:载置台,其载置所述容器;底部嘴,其与在所述容器的底面中相较于底面中央距所述主开口更远的位置形成的底孔能够连通;气体排出流路,其能够经由所述底部嘴将所述容器的内部的气体排出到所述容器的外部,
所述晶圆搬运部具有用于使所述晶圆搬运室内的气体在所述晶圆搬运室迂回而上升并再次形成所述下降气流的循环流路,
所述气体排出流路与所述循环流路连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造