[发明专利]一种硬质足银补口材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201611128918.X | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN106756383B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 金明江;金学军;卢现稳 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C22C28/00 | 分类号： | C22C28/00;C22C5/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 许骅;许亦琳 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 补口材料 硬质 制备 重量百分比 传统工艺 珠宝镶嵌 抗变色 重量比 熔炼 纯银 饰品 首饰 | ||
1.一种补口材料，其特征在于：包括以下组分及重量百分比：钆65％～80％、锗15％～25％和铟5％～20％；所述补口材料由以下方法制得，包括以下步骤：
1)在惰性气氛保护下，按照重量百分比称取所述钆、所述锗和所述铟，加入至熔炼炉内进行熔炼；
2)待所述钆、所述锗和所述铟合金熔炼完成，然后降温精炼，浇注成补口材料块体。
2.如权利要求1所述的补口材料，其特征在于：由以下组分及重量百分比组成：钆75％～80％、锗15％～20％和铟5％～10％。
3.一种制备如权利要求1或2所述的补口材料的方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)在惰性气氛保护下，按照重量百分比称取所述钆、所述锗和所述铟，加入至熔炼炉内进行熔炼；
2)待所述钆、所述锗和所述铟合金熔炼完成，然后降温精炼，浇注成补口材料块体。
4.如权利要求3所述的补口材料的制备方法，其特征在于：在所述步骤1)中，所述熔炼的温度为1300～1500℃。
5.如权利要求3所述的补口材料的制备方法，其特征在于：在所述步骤2)中，所述降温精炼的温度为850～1000℃，时间为30～60s。
6.如权利要求3所述的补口材料的制备方法，其特征在于：所述方法还包括将所述补口材料块体加工成丝材或颗粒的步骤。
7.一种硬质足银的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将如权利要求1或2所述的补口材料与纯度不小于99.9％的纯银按重量比为1:99进行配料，使用熔炼工艺进行熔炼，然后通过铸造或浇注获得硬质足银。
8.如权利要求7所述的硬质足银的制备方法，其特征在于，所述熔炼的温度为950～1200℃。
9.一种由权利要求7至8任一所述的方法制备的硬质足银。
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