[发明专利]一种晶背减薄方法及所使用的圆形治具有效
| 申请号： | 201611128498.5 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN108231567B | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 曹雪平;刘魁;徐忠良 | 申请（专利权）人： | 和舰科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 张建鹏 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶背减薄 方法 使用 圆形 | ||
1.一种晶背减薄方法，包括以下步骤：
(1)使用圆形治具固定晶圆，其中在晶圆背面放置所述圆形治具，所述圆形治具为中空环状结构且具有直径不同的内边缘和外边缘，所述圆形治具使所述晶圆完全嵌在所述圆形治具中央与所述内边缘贴合；
(2)在由所述圆形治具固定的所述晶圆正面贴膜，采用贴胶机在所述晶圆正面贴附一层胶带膜并使所述晶圆正面贴合的所述胶带膜突出所述晶圆和所述圆形治具外边缘，所述胶带膜不与酸性或碱性溶液反应且所述胶带膜面积大于所述晶圆面积；
(3)沿所述圆形治具的外边缘对所述晶圆正面贴附的所述胶带膜进行切割，使所述胶带膜突出所述晶圆1-2mm；
(4)去除所述圆形治具，将步骤(3)中得到的所述晶圆移至研磨机中采用研磨轮在所述晶圆背面进行机械研磨至设定厚度；
(5)将具有突出晶圆1-2mm胶带膜的所述晶圆取出移至特氟龙卡盒中；
(6)在盛有步骤(5)得到的所述晶圆的所述特氟龙卡盒中放入所需酸液从而形成酸槽，并在所述酸槽中进行晶圆背面酸法蚀刻；
(7)将步骤(6)中得到的背面蚀刻后的所述晶圆进行撕膜，去除所述晶圆正面的所述胶带膜；
(8)对步骤(7)中得到的去除所述胶带膜后的所述晶圆进行背面金属沉积，得到沉积有所需金属组分的晶圆。
2.如权利要求1中所述的晶背减薄方法，其中步骤(6)中所述酸槽内部设有2根压杆，在所述晶圆的所述压杆与所述晶圆压接的部位处不设置所述胶带膜。
3.如权利要求1中所述的晶背减薄方法，其中步骤(8)包含依次在晶圆背面沉积Ti、Ni、Cu、Ni形成多层金属沉积层。
4.一种用于权利要求1-3中任一项所述的晶背减薄方法中的圆形治具，其中所述圆形治具为中空环状结构，所述圆形治具分为上部和下部，其中所述上部和所述下部各具有一个外径和一个内径，所述上部的外径小于所述下部的外径，所述上部的内径与所述下部的内径相同。
5.如权利要求4所述的圆形治具，其中所述圆形治具有一个缺口。
6.如权利要求5所述的圆形治具，其中所述圆形治具的缺口占所述圆形治具外周周长的比例为1/8-1/4。
7.如权利要求6所述的圆形治具，其中所述圆形治具的缺口占所述圆形治具外周周长的比例为1/6。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
