[发明专利]微机械压力传感器装置的制造方法和相应的微机械压力传感器装置有效
| 申请号： | 201611128415.2 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN106986301B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 武震宇 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02;G01L9/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 韩长永 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微机 压力传感器 装置 制造 方法 相应 | ||
1.一种微机械压力传感器装置(100)的制造方法，其具有下述步骤：
A)提供具有至少第一至第四槽(G1；G2；G3；G4)的基底(1)，所述至少第一至第四槽从所述基底(1)的正面(V1)出发平行地延伸并且彼此隔开间距；
B)将一个层(S1)沉积到所述正面(V1)上，其中，将所述至少第一至第四槽(G1；G2；G3；G4)封闭，并且将所述层(S1)结构化，其中，在所述层(S1)中在第二和第四槽(G2；G4)的上方构造接触结构(20；30)；
C)将所述接触结构(20；30)以及所述第二和第四槽(G2；G4)的向外暴露的侧面(40)至少部分地氧化(O1)；
D)使第一金属接触材料(M1)沉积并且结构化，其中，将所述接触结构(20；30)至少部分地以所述第一金属接触材料(M1)填充；
E)从所述基底(1)的背面(R1)打开所述第二槽(G2)和所述第四槽(G4)；
F)将第二金属接触材料(M2)经过所述基底(1)的背面(R1)电沉积到所述第二和第四槽(G2；G4)中，其中，所述第二金属接触材料(M2)沉积在经氧化的侧面(40)上，由此形成一压敏电容性的电容器结构(K1)；并且
G)从所述基底(1)的正面(V1)打开所述第一槽(G1)，其中，形成用于所述压敏电容性的电容器结构(K1)的压力通道(D1)。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，为了构造所述至少第一至第四槽(G1；G2；G3；G4)，在所述基底(1)的正面(V1)上实施N-格栅(N1)。
3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，对于所述基底(1)使用多孔硅。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在所述基底(1)中将分析电子装置(A1)和/或双极处理器(A1’)集成到基底层面上。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其中，对于所述层(S1)使用单晶硅。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其中，至少部分地氧化的侧面(40)用于所述第一金属接触材料(M1)和所述第二金属接触材料(M2)的沉积。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在所述第一金属接触材料(M1)沉积和结构化时至少部分地构造金属导线线路(LB1)，并且将所述金属导线线路(LB1)用于所述第二金属接触材料(M2)的电沉积。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，在所述第二金属接触材料(M2)电沉积之后至少部分地去除所述金属导线线路(LB1)。
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