[发明专利]图像传感器、其制造方法和包括该图像传感器的系统有效
申请号: | 201611127788.8 | 申请日: | 2016-12-09 |
公开(公告)号: | CN106856201B | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 吴暎宣;朴东赫;权熙相 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 翟然 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 制造 方法 包括 系统 | ||
1.一种图像传感器,包括
基板,包括像素区域、第一侧以及与所述第一侧相反的第二侧,其中光入射到所述第二侧并且所述像素区域包括多个像素;
像素分隔结构,布置在所述基板中以使所述像素彼此分离并且在其中包括导电层;以及
电压施加线层,与所述导电层间隔开并且布置在所述基板上以围绕所述像素区域的外部分的至少一部分,其中所述电压施加线层通过至少一个接触电连接到所述导电层,以及其中所述电压施加线层布置在所述像素区域内,并且设置在所述导电层之上使得整个所述电压施加线层与所述导电层重叠并以线的形式延伸。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中当作为水平截面看时,所述像素区域具有矩形形状,所述电压施加线层具有围绕所述像素区域的所述外部分的矩形环形状,并且所述至少一个接触布置在所述矩形环形状的每条边处。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中当作为水平截面看时,所述像素区域具有矩形形状,所述电压施加线层被提供在四个部分中,该四个部分的每个具有与所述矩形形状的拐角部分相应的L形状,并且所述至少一个接触布置在所述四个部分的每个处。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中当作为水平截面看时,所述像素区域具有矩形形状,所述电压施加线层被提供在四个部分中,该四个部分的每个具有与所述矩形形状的侧部分相应的条形状,并且所述至少一个接触布置在所述四个部分的每个处。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:
布置在所述第一侧的内部线层;以及
虚设区域,在所述基板中邻近所述像素区域布置并且包含至少一个虚设像素,其中所述电压施加线层和所述内部线层的至少一个通过虚设接触电连接到所述至少一个虚设像素。
6.根据权利要求5所述的图像传感器,其中所述虚设区域布置为围绕所述像素区域,所述虚设接触包括多个虚设接触,并且所述虚设接触布置为对应于所述虚设区域的形状并且彼此间隔开间距。
7.根据权利要求5所述的图像传感器,其中当作为水平截面看时,所述像素区域具有矩形形状,其中当作为水平截面看时,所述虚设区域具有矩形环形状并且围绕所述像素区域,以及其中所述图像传感器还包括:
虚设线层,对应于所述矩形环形状,其中所述虚设接触布置在所述虚设线层和所述至少一个虚设像素之间,以及其中所述虚设线层通过连接线层连接到所述电压施加线层和所述内部线层的至少一个。
8.根据权利要求5所述的图像传感器,其中所述电压施加线层包含延伸到所述虚设区域的突起,以及其中所述虚设接触布置在所述突起和所述至少一个虚设像素之间。
9.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述电压施加线层布置在所述第一侧或所述第二侧上。
10.根据权利要求9所述的图像传感器,还包括布置在所述第一侧上的内部线层,其中所述电压施加线层和所述内部线层的至少一个通过虚设接触电连接到布置在所述像素区域外部的虚设像素。
11.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述像素分隔结构包含深沟槽隔离(DTI)层和布置在所述深沟槽隔离层中的所述导电层,其中绝缘层布置在所述第一侧或所述第二侧,并且其中所述接触在穿透所述绝缘层之后连接到所述导电层。
12.根据权利要求1所述的图像传感器,其中负电压被施加到所述电压施加线层,以及其中所述负电压通过所述接触被施加到整个所述导电层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611127788.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的