[发明专利]相位移光掩模的形成方法

说明书

本发明实施例提供一种相位移光掩模的形成方法。此方法包括：在透光衬底上依序形成相位移层、遮蔽层、促进层以及掩模层。图案化掩模层，以形成图案化掩模层。以图案化掩模层为掩模，对促进层以及遮蔽层进行蚀刻，以形成图案化促进层以及第一图案化遮蔽层。同时移除图案化掩模层以及图案化促进层。以第一图案化遮蔽层为掩模，对相位移层进行蚀刻，以形成图案化相位移层。选择性移除第一图案化遮蔽层，以形成第二图案化遮蔽层。从而能简化工艺，并同时使其所形成的相位移光掩模具有良好的分辨率。

技术领域

本发明实施例涉及一种相位移光掩模的形成方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，半导体组件的尺寸愈来愈小，使其关键尺寸(criticaldimension,CD)愈来愈接近曝光机台的光学物理极限。然而，为了提升光掩模的分辨率，往往需要更先进的曝光机台，或通过在光掩模的工艺中加入多道步骤来改善，因而导致设备成本增加或造成工艺复杂化。

发明内容

本发明实施例提供一种相位移光掩模的形成方法。在透光衬底上依序形成相位移层、遮蔽层、促进层以及掩模层。图案化掩模层，以形成图案化掩模层。以图案化掩模层为掩模，对促进层以及遮蔽层进行图案化，以形成图案化促进层以及第一图案化遮蔽层。移除图案化促进层，其中在移除图案化促进层时同时移除图案化掩模层。以第一图案化遮蔽层为掩模，对相位移层进行蚀刻，以形成图案化相位移层。选择性移除第一图案化遮蔽层，以形成第二图案化遮蔽层。

本发明实施例提供一种相位移光掩模的形成方法。在透光衬底上依序形成相位移层、遮蔽层以及双聚合物层，其中双聚合物层包括掩模层以及位于遮蔽层以及掩模层之间的促进层。图案化掩模层，以形成图案化掩模层。以图案化掩模层为掩模，对促进层以及遮蔽层进行图案化，以形成图案化促进层以及第一图案化遮蔽层。移除图案化促进层，其中在移除图案化促进层时同时移除图案化掩模层。以第一图案化遮蔽层为掩模，对相位移层进行蚀刻，以形成图案化相位移层。移除部分第一图案化遮蔽层，以形成第二图案化遮蔽层。

本发明实施例提供一种相位移光掩模的形成方法。在透光衬底上依序形成相位移层、遮蔽层以及促进层。以相同的蚀刻气体源，同时对促进层以及遮蔽层进行蚀刻，以形成图案化促进层以及第一图案化遮蔽层。移除图案化促进层。以第一图案化遮蔽层为掩模，对相位移层进行蚀刻，以形成图案化相位移层。选择性移除第一图案化遮蔽层，以形成第二图案化遮蔽层。

为让本发明实施例的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

根据以下的详细说明并配合附图以了解本发明实施例。应注意的是，根据本产业的一般作业，各种特征并未按照比例绘制。事实上，为了清楚说明，可能任意的放大或缩小组件的尺寸。

图1至图7为依照本发明一些实施例的一种相位移光掩模的制造过程的各种阶段的剖面示意图；

图8为依照本发明一些实施例的一种相位移光掩模的制造过程的流程图。

附图标记说明：

100：透光衬底；

200：相位移层；

200a：图案化相位移层；

300：遮蔽层；

300a：第一图案化遮蔽层；

300b：第二图案化遮蔽层；

400：促进层；

400a：图案化促进层；

450：双聚合物层；

500：掩模层；

500a：图案化掩模层；

600：图案化掩模层；