[发明专利]相位移光掩模的形成方法

权利要求书

1.一种相位移光掩模的形成方法，其特征在于，包括：

在透光衬底上依序形成相位移层、遮蔽层、促进层以及掩模层；

图案化所述掩模层，以形成图案化掩模层；

以所述图案化掩模层为掩模，对所述促进层和所述遮蔽层进行图案化，以形成图案化促进层和第一图案化遮蔽层；

移除所述图案化促进层，其中在移除所述图案化促进层时同时移除所述图案化掩模层；

以所述第一图案化遮蔽层为掩模，对所述相位移层进行蚀刻，以形成图案化相位移层；以及

选择性移除所述第一图案化遮蔽层，以形成第二图案化遮蔽层。

2.一种相位移光掩模的形成方法，其特征在于，包括：

在透光衬底上依序形成相位移层、遮蔽层以及双聚合物层，其中所述双聚合物层包括掩模层以及位于所述遮蔽层和所述掩模层之间的促进层；

图案化所述掩模层，以形成图案化掩模层；

以所述图案化掩模层为掩模，对所述促进层和所述遮蔽层进行图案化，以形成图案化促进层以及第一图案化遮蔽层；

移除所述图案化促进层，其中在移除所述图案化促进层时同时移除所述图案化掩模层；

以所述第一图案化遮蔽层为掩模，对所述相位移层进行蚀刻，以形成图案化相位移层；以及

移除部分所述第一图案化遮蔽层，以形成第二图案化遮蔽层。

3.一种相位移光掩模的形成方法，其特征在于，包括：

在透光衬底上依序形成相位移层、遮蔽层以及促进层；

以相同的蚀刻气体源，对所述促进层以及所述遮蔽层进行蚀刻，以形成图案化促进层以及第一图案化遮蔽层；

移除所述图案化促进层；

以所述第一图案化遮蔽层为掩模，对所述相位移层进行蚀刻，以形成图案化相位移层；以及

选择性移除所述第一图案化遮蔽层，以形成第二图案化遮蔽层。

4.根据权利要求1至3项中任一项所述的相位移光掩模的形成方法，其中，所述促进层包括非感光性共聚合物，且不会被显影液所溶解。

5.根据权利要求1至3项中任一项所述的相位移光掩模的形成方法，其中，所述促进层包括由具有疏水基的单体所形成的共聚合物。

6.根据权利要求1至3项中任一项所述的相位移光掩模的形成方法，其中，所述促进层为选自由甲基丙烯酸甲酯、二苯基甲酮以及甲基丙烯酸缩水甘油酯所组成的族群所形成的共聚合物。

7.根据权利要求1或2所述的相位移光掩模的形成方法，其中，对所述促进层以及所述遮蔽层进行图案化的方法包括以相同的蚀刻气体源进行等离子蚀刻。

8.根据权利要求7所述的相位移光掩模的形成方法，其中，所述相同的蚀刻气体源包括氯、氧或其组合。

9.根据权利要求1至3项中任一项所述的相位移光掩模的形成方法，其中，移除所述图案化促进层采用物理的方式。

10.根据权利要求1至3项中任一项所述的相位移光掩模的形成方法，其中，移除所述图案化促进层的方法包括使用水。