[发明专利]一种Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201610837110.2 | 申请日： | 2016-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN106409963B | 公开（公告）日： | 2018-06-15 |
| 发明（设计）人： | 郭道友;秦新元;王顺利;时浩泽;李培刚;唐为华;沈静琴 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;H01L31/0264 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 郑海峰 |
| 地址： | 310018 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 紫外光电探测器 制备 薄膜基 日盲 薄膜 磁控溅射 生长 致密 工艺可控性 光生载流子 蓝宝石单晶 薄膜表面 叉指电极 光吸收层 厚度稳定 颗粒生长 收集电极 紫外探测 光响应 潜在的 靶材 衬底 溅射 晶面 均一 起辉 应用 | ||
【说明书】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
