[发明专利]一种Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610837110.2 申请日: 2016-09-21
公开(公告)号: CN106409963B 公开(公告)日: 2018-06-15
发明(设计)人: 郭道友;秦新元;王顺利;时浩泽;李培刚;唐为华;沈静琴 申请(专利权)人: 浙江理工大学
主分类号: H01L31/09 分类号: H01L31/09;H01L31/0264
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 郑海峰
地址: 310018 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 紫外光电探测器 制备 薄膜基 日盲 薄膜 磁控溅射 生长 致密 工艺可控性 光生载流子 蓝宝石单晶 薄膜表面 叉指电极 光吸收层 厚度稳定 颗粒生长 收集电极 紫外探测 光响应 潜在的 靶材 衬底 溅射 晶面 均一 起辉 应用
【权利要求书】:
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