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[实用新型]一种手术薄膜-CN201420154910.0有效
发明人：李建全;郑多姿 -专利权人：稳健实业(深圳)有限公司
申请日： 2014-04-01 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： A61B19/08 文献下载
摘要：一种手术薄膜，包括薄膜层，附着在所述薄膜层一面的薄膜背衬，和附着在所述薄膜层另一面的第一基纸和第二基纸，所述第一基纸和第二基纸具有一重叠区域，且在所述重叠区域，第一基纸的边沿反折预设长度，第一基纸的反折部分位于薄膜层与第二基纸之间本申请提供的手术薄膜中，通过薄膜背衬来增加薄膜层的表面硬度，防止手术薄膜在使用过程中被损坏或纠结在一起，也更容易使手术薄膜贴合于手术部位的皮肤上。另外，通过第一基纸和第二基纸（第一基纸、第二基纸和第三基纸）的结构，能够方便单人操作手术薄膜。
一种手术薄膜

[发明专利]一种多数形状的模切生产系统-CN202010330594.8在审
发明人：李东雨 -专利权人：天津东富星电子有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： B26F1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种多数形状的模切生产系统，包括第一带基薄膜、第二带基薄膜、第三带基薄膜、粘合防止部、模具单元、层压机和切割机，层压机和模具单元间隔设置，模具单元包括第一模具单元和第二模具单元，第一带基薄膜、第二带基薄膜和第三带基薄膜上均开有第一导孔，第一带基薄膜、第二带基薄膜和第三带基薄膜均缠绕于辊轴上，第一带基薄膜位于第一模具单元前侧，第二带基薄膜位于第一模具单元和第二模具单元之间，粘合防止部位于第二模具单元上；本发明在第一带基薄膜和第二带基薄膜的对应位置加工出多个第一导孔，并在模切时向该第一导孔插入模具上的第一导销，以对准需要模切形状的模切位置，从而实现自动模切多数形状。
一种多数形状生产系统

[实用新型]一种多数形状的模切生产系统-CN202020648162.7有效
发明人：李东雨 -专利权人：天津东富星电子有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： B26F1/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多数形状的模切生产系统，包括第一带基薄膜、第二带基薄膜、第三带基薄膜、粘合防止部、模具单元、层压机和切割机，层压机和模具单元间隔设置，模具单元包括第一模具单元和第二模具单元，第一带基薄膜、第二带基薄膜和第三带基薄膜上均开有第一导孔，第一带基薄膜、第二带基薄膜和第三带基薄膜均缠绕于辊轴上，第一带基薄膜位于第一模具单元前侧，第二带基薄膜位于第一模具单元和第二模具单元之间，粘合防止部位于第二模具单元上；本实用新型在第一带基薄膜和第二带基薄膜的对应位置加工出多个第一导孔，并在模切时向该第一导孔插入模具上的第一导销，以对准需要模切形状的模切位置，从而实现自动模切多数形状。
一种多数形状生产系统

[发明专利]柔性衬底硅基薄膜太阳电池-CN200810052621.9有效
发明人：张晓丹;赵颖;魏长春;耿新华;熊绍珍 -专利权人：南开大学
申请日： 2008-04-07 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性衬底硅基薄膜太阳电池，包括衬底S为不透明和透明柔性材料，且太阳电池的结构为P型硅基薄膜/I型硅基薄膜/N型硅基薄膜，所述P型硅基薄膜、I型硅基薄膜和N型硅基薄膜皆采用微晶硅基或纳米硅基薄膜，其中，P型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅碳或微晶硅氧，也可为纳米硅、纳米硅碳或纳米硅氧、非晶硅、非晶硅碳或非晶硅氧，I型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅锗或纳米硅、纳米硅锗，N型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅碳或微晶硅氧本发明利用微晶硅基或纳米硅基薄膜材料电子和空穴迁移率具有相同数量级的特性，将目前应用于玻璃衬底上比较成熟的P/I/N电池技术合理转移到柔性衬底上，较容易实现工艺的转移。
柔性衬底薄膜太阳电池

[发明专利]一种具有高储能密度的复合薄膜及其制备方法-CN201310152902.2无效
发明人：王金斌;陈婷;钟向丽;谭丛兵;廖敏 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： B32B18/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高储能密度的复合薄膜及其制备方法，该复合薄膜底层和上层为锆酸铅基薄膜层；中间层为钛酸钡基二元固溶体薄膜层；制备方法是将锆酸铅基薄膜层原料和钛酸钡基二元固溶体薄膜层原料分别配制成锆酸铅基前驱体溶液和钛酸钡基二元固溶体前驱体溶液；用制得的锆酸铅基前驱体溶液通过甩胶旋涂在Pt(111)/Ti/SiO2/Si衬底上得到湿膜，再用得到的湿膜在氧气气氛下经过烘烤、热解、退火处理，即制得锆酸铅基薄膜层；再按照上述锆酸铅基薄膜层的制备过程在已制得的锆酸铅基薄膜层上依次制备钛酸钡基二元固溶体薄膜层和锆酸铅基薄膜层，即得；该复合薄膜具有高能量存储密度且耐极化疲劳的性能，制备方法简单易行、成本低，可工业化生产。
一种具有高储能密度复合薄膜及其制备方法

[发明专利]提高铪基铁电器件耐久性的方法及铪基铁电器件-CN202211021475.X在审
发明人：李秀妍;陈丹旸;司梦维 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种提高铪基铁电器件耐久性的方法及铪基铁电器件，该方法包括：在衬底上制备铪基薄膜；在所述铪基薄膜上形成金属电极，形成铪基器件；对所述铪基薄膜进行热退火使其结晶具有反铁电特性，得到铪基反铁电薄膜，形成铪基铁电器件；对所述铪基反铁电薄膜施加电场循环，使所述铪基反铁电薄膜在获得剩余极化强度的同时提高耐久性。本发明通过加以电场循环使铪基反铁电薄膜获得剩余极化强度，使其满足剩余极化强度的同时获得更好的耐久性。
提高铪基铁电器件耐久性方法

[发明专利]一种绒面多层膜透明导电玻璃-CN201710795754.4在审
发明人：彭寿;马立云;姚婷婷;李刚;杨勇;沈洪雪;金克武;王天齐;彭赛奥;甘治平 -专利权人：蚌埠玻璃工业设计研究院
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开一种绒面多层膜透明导电玻璃，包括玻璃基底，玻璃基底顶面由下至上依次设有下ZnO基薄膜与上ZnO基薄膜，上ZnO基薄膜表面设有一组离散分布的球坑，使上ZnO基薄膜表面呈凹凸的织构化结构；上ZnO基薄膜的厚度小于球坑的直径；通过离散分布的球坑，在上ZnO基薄膜表面形成凹凸的织构化结构，从而得到高透过率、低电阻率的多层膜透明导电玻璃；制作时，可以先在下ZnO基薄膜表面制备单层离散的聚苯乙烯小球层，然后利用聚苯乙烯小球层作为掩膜，溅射生长上ZnO基薄膜，之后去除聚苯乙烯小球，即在上ZnO基薄膜表面形成凹凸的织构化结构；由于聚苯乙烯小球层的直径与浓度可控，因而使得上ZnO基薄膜表面的微结构可控，调节ZnO基薄膜的雾度。
一种多层透明导电玻璃

[发明专利]具有阻隔性能的环保型多层柔性薄膜-CN200880112696.X有效
发明人：安东尼·罗伯特·科泽尔;肯尼思·斯科特·拉弗杜里;巴德·韦恩·罗杰斯 -专利权人：福瑞托-雷北美有限公司
申请日： 2008-08-28 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： B32B27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有阻隔性能的多层薄膜，所述薄膜具有由生物基薄膜制作的一层或多层。在一个方面，印刷网包括生物基薄膜。在一个方面，阻隔网包括生物基薄膜。在一个方面，生物基粘附剂将所述印刷网粘附于所述阻隔网。所述生物基薄膜可以包括纸、PCR、聚交酯或聚羟基脂肪酸酯。与现有技术的石油基薄膜不同，本发明的生物基薄膜是由可再生资源制作的并且是可生物降解的。
具有阻隔性能环保多层柔性薄膜

[发明专利]蒸发水热两步生长锑基薄膜材料的方法和薄膜太阳电池-CN202110132481.1在审
发明人：李海明;冯新文;张俊双;姜磊;站文华;郭洪武;周静;曹宇 -专利权人：国家电网有限公司;国网内蒙古东部电力有限公司赤峰供电公司;东北电力大学
申请日： 2021-01-31 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：一种蒸发水热两步生长锑基薄膜材料的方法和薄膜太阳电池，蒸发/水热两步生长锑基薄膜材料的方法，是采用蒸发/水热两步法制备锑基电子传输吸光薄膜，所述的锑基电子传输吸光薄膜是Sb2S3电子传输吸光薄膜、Sb2Se3电子传输吸光薄膜和Sb2S3/Sb2Se3渐变带隙电子传输吸光薄膜中的一种一种采用锑基薄膜材料制备的锑基薄膜太阳电池，包括有依次叠放的锑基电子传输吸光薄膜、空穴传输层和金属电极层。本发明先用快速热蒸发法生长锑基薄膜，之后采用水热法完成后续薄膜的生长。通过水热法继续生长的锑基薄膜表面平整致密，可以起到钝化锑基薄膜表面缺陷和优化界面特性的效果，有效的解决了因快速热蒸发法所造成的薄膜表面起伏度高，不平整的问题。
蒸发水热两步生长薄膜材料方法太阳电池

[发明专利]一种聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法及应用-CN202310789108.2有效
发明人：陈磊 -专利权人：山东森荣新材料股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B32B15/20 文献下载
摘要：本发明涉及电路基板技术领域，具体提供一种聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法及应用。聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法包括如下步骤：制备PFA基薄膜；制备PTFE基薄膜，PTFE基薄膜由炭黑与PTFE混合材料制成；将PFA基薄膜与PTFE基薄膜热压，得到PFA‑PTFE复合薄膜，其中，PTFE基薄膜与PFA基薄膜中PFA与二氧化硅的混合材料一侧相连；将PFA‑PTFE复合薄膜中二氧化硅一侧的表面处理，使二氧化硅一侧的表面呈多孔状；将铜箔、PFA‑PTFE复合薄膜、玻纤板热压，得到聚四氟乙烯基覆铜板，以使聚四氟乙烯基覆铜板具有更低的介电常数、更好的耐热性能及更高的强度。
一种聚四氟乙烯铜板制备方法应用

[发明专利]碳基薄膜紧实装置和方法-CN202010524089.7有效
发明人：夏骏远;谷金翠;肖鹏;陈涛;刘兆平 -专利权人：宁波石墨烯创新中心有限公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： B30B5/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种碳基薄膜紧实装置和方法，涉及设备技术领域。本申请的碳基薄膜紧实装置包括挤压组件，挤压组件包括疏水模块、多孔模块和泵模块。使用时，疏水模块的疏水面与漂浮有碳基薄膜的液面相交，疏水面一部分位于液面下，另一部分位于液面上。疏水面能够推动碳基薄膜的边缘，使碳基薄膜的边缘向其中心收缩。多孔模块位于液面下，在疏水模块挤压碳基薄膜的过程中，泵模块通过多孔模块将碳基薄膜下方的液体抽离，液面下方形成环流，对碳基薄膜的收缩产生辅助力，有利于提高碳基薄膜的致密度。通过本申请实施例提供的碳基薄膜紧实装置和方法，能够避免消耗较多的一次性材料，能够低成本地制备具有较好高致密度的碳基薄膜。
薄膜紧实装置方法

[实用新型]一种高弹纤维印花面料-CN201820009460.4有效
发明人：刘炬 -专利权人：吴江天易恒服装面料有限公司
申请日： 2018-01-04 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： B32B27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高弹纤维印花面料，包括高弹基布、硅胶薄膜、TPU薄膜；高弹基布、硅胶薄膜、TPU薄膜依次层叠设置，高弹基布位于里层，TPU薄膜位于表层；高弹基布由AB纱经纬编织而成；高弹基布为罗纹组织结构；硅胶薄膜热压粘附在高弹基布上；在硅胶薄膜上密布有透气微孔；在硅胶薄膜上设置有金属涂层；在金属涂层上设置有印花图案；金属涂层和印花图案位于硅胶薄膜和TPU薄膜之间。
高弹硅胶薄膜基布金属涂层本实用新型印花面料印花图案纤维罗纹组织结构防水透湿经纬编织透气微孔依次层叠制造成本轻薄里层热压透气粘附褪色密布

[实用新型]新型医用手术薄膜-CN200420029924.6无效
发明人：王为;王炳军 -专利权人：天津博安医用有限公司
申请日： 2004-10-14 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： A61B19/00 文献下载
摘要：一种新型医用手术薄膜，涉及一种医用手术薄膜。它可以在手术中方便地将基纸与薄膜剥离，并适宜于机械化生产。它包括基纸、薄膜和方便条；薄膜的宽度小于基纸的宽度，其底面带有涂胶层，与基纸粘和成一体；在薄膜与基纸宽向的粘合口外有基纸边；方便条的底面带有涂胶层，涂胶层沿粘合口分别与薄膜、基纸边粘和；方便条的底面可以一侧带有涂胶层用于手术开刀前，从方便条与基纸边处，将薄膜与基纸很容易地剥离，将薄膜揭下后，与皮肤完全贴合，便可以在贴薄膜处的皮肤上开刀，手术后将薄膜揭去即可缝合。
新型医用手术薄膜

[发明专利]一种同质种子层调控氧化铪基铁电薄膜电学性能的方法-CN202110797458.4在审
发明人：姜杰;张彪;姜楠;欧阳阔 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/288 文献下载
摘要：本发明公开了一种同质种子层调控氧化铪基铁电薄膜电学性能的方法，其包括：制备氧化铪基种子层前驱体溶液；制备铁电薄膜的薄膜前驱体溶液；用所述种子层前驱体溶液制得氧化铪基种子层；在所述氧化铪基种子层上旋涂所述薄膜前驱体溶液，对所述薄膜前驱体溶液进行处理后得到氧化铪基铁电薄膜。该方法是以一种与氧化铪基薄膜层完全相同的材料作为种子层，避免了以其他材料为种子层产生的元素扩散和界面死层，极大地增强了氧化铪基薄膜的铁电性能。
一种同质种子调控氧化铪基铁电薄膜电学性能方法

[发明专利]一种新型晶体硅太阳能电池及其制备方法-CN201610696136.X在审
发明人：张杰 -专利权人：四川英发太阳能科技有限公司
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型晶体硅太阳能电池及其制备方法，包括衬底、多晶硅薄膜，衬底与多晶硅薄膜之间设有钝化层，钝化层表面设有氧化硅薄膜，氧化硅薄膜与多晶硅薄膜之间设有上电极；上电极与多晶硅薄膜之间设有P型硅基体层，多晶硅薄膜上设有P‑n结，衬底设置在背面AI电极上；所述背面AI电极与衬底之间设有背面ZnO基薄膜层，P型硅基体层与多晶硅薄膜之间设有正面ZnO基薄膜层，所述正面ZnO基薄膜层、背面ZnO基薄膜层均为ZnO、ZnMgO或ZnCaO薄膜，所述背面AI电极为线状电极，所述背面ZnO基薄膜层的厚度为45—100纳米，所述正面ZnO基薄膜层的厚度为30—100纳米。
一种新型晶体太阳能电池及其制备方法

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