[发明专利]一种晶圆去气腔室及PVD设备有效
申请号: | 201610414337.6 | 申请日: | 2016-06-13 |
公开(公告)号: | CN107492509B | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | 郭浩;周游;郑金果;赵梦欣;杨敬山;侯珏;徐悦;叶华;贾强 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C14/02;C23C14/54 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆去气腔室 pvd 设备 | ||
1.一种晶圆去气腔室,包括腔室本体,所述腔室本体内设置有至少一个用于承载晶圆的晶圆载具和用于对晶圆加热的加热单元,所述晶圆去气腔室还包括隔离部,所述隔离部用于将所述加热单元与所述晶圆分隔开,所述隔离部可透光,所述加热单元发出的热量能够透过所述隔离部对所述晶圆进行加热,其特征在于,所述晶圆去气腔室还包括对所述隔离部的温度进行控制的温度控制装置;
所述温度控制装置包括:控制单元、温度检测单元、冷源,其中,
所述温度检测单元用于检测所述隔离部的温度,并将检测到的温度信号发送给所述控制单元;
所述控制单元用于接收所述温度检测单元发送的温度信号,并根据该温度信号控制所述冷源对所述隔离部进行调温。
2.根据权利要求1所述的晶圆去气腔室,其特征在于,所述温度检测单元设置于所述隔离部上,且与所述隔离部接触。
3.根据权利要求2所述的晶圆去气腔室,其特征在于,所述温度检测单元至少为两个,所述温度检测单元在所述隔离部上均匀分布。
4.根据权利要求3所述的晶圆去气腔室,其特征在于,所述冷源至少为两个,且与所述温度检测单元的位置一一对应,所述控制单元用于根据接收到的温度信号分别控制与所述温度检测单元的位置相对应的所述冷源,以对与所述温度检测单元相对应的隔离部进行调温。
5.根据权利要求1所述的晶圆去气腔室,其特征在于,所述冷源为水冷机构或热传导液冷却机构。
6.根据权利要求5所述的晶圆去气腔室,其特征在于,所述隔离部具有中空腔体,所述腔体与所述冷源连接,经过所述冷源制冷的冷却液在所述腔体内循环以对所述隔离部进行制冷降温。
7.根据权利要求1所述的晶圆去气腔室,其特征在于,所述冷源为风冷机构或压缩空气冷却机构。
8.根据权利要求7所述的晶圆去气腔室,其特征在于,所述冷源与所述加热单元位于所述隔离部的同侧。
9.根据权利要求7所述的晶圆去气腔室,其特征在于,所述冷源所在的由所述隔离部所分隔出的腔室本体部分设置有用于排气的排气孔。
10.一种物理气相沉积设备,包括晶圆去气腔室、预清洗腔室和物理气相沉积工艺腔室,其特征在于,所述晶圆去气腔室包括权利要求1~9任意一项所述的晶圆去气腔室。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造