[发明专利]一种低熔点金属化合物的收集还原装置及方法

权利要求书

1.一种低熔点金属化合物的收集还原装置，其特征在于：它由框架（1）、托盘、吊装板（2）组成，框架（1）包括两个半圆套筒（7）和多个托盘支架（3），两个半圆套筒（7）的两侧边缘相对，由螺栓（8）相连接，托盘支架（3）水平放置，托盘支架（3）的边缘与半圆套筒（7）的内壁相连接，多个托盘支架（3）沿着半圆套筒（7）的轴向平行排列，托盘放置在托盘支架（3）上，托盘由大托盘（4）、小托盘（5）和收集托盘（6）组成，大托盘（4）的外径与半圆套筒（7）的内径相匹配，大托盘（4）的中心有进气孔（11），小托盘（5）的外径与半圆套筒（7）的内壁之间有间隙，大托盘（4）和小托盘（5）在托盘支架（3）上间隔排放，收集托盘（6）放置在托盘支架（3）的最下端，大托盘（4）和小托盘（5）的盘面上均布有小孔，吊装板（2）与框架（1）的半圆套筒（7）的上板面相连接。

2.根据权利要求1所述的低熔点金属化合物的收集还原装置，其特征在于：所述托盘支架（3）由两根横杆（9）和多根斜拉杆（10）组成，两根横杆（9）的两端分别与半圆套筒（7）的两侧相对边缘焊接连接，两个相对的半圆套筒（7）的横杆（9）平行相对，多根斜拉杆（10）分别焊接在横杆（9）和半圆套筒（7）内壁之间。

3.根据权利要求2所述的低熔点金属化合物的收集还原装置，其特征在于：所述大托盘（4）由两个半圆托盘组成，两个半圆托盘的外径与半圆套筒（7）内径相同，大托盘（4）中心的进气孔（11）直径与还原炉中间进气孔直径相匹配。

4.根据权利要求3所述的低熔点金属化合物的收集还原装置，其特征在于：所述小托盘（5）由两个半圆托盘组成，两个半圆托盘的外径小于半圆套筒（7）的内径，小托盘（5）的中心为无孔圆盘，无孔圆盘的直径与还原炉中间进气孔直径相匹配。

5.根据权利要求4所述的低熔点金属化合物的收集还原装置，其特征在于：所述收集托盘（6）为多半个圆环，收集托盘（6）的外径与半圆套筒（7）的内径相同，收集托盘（6）中心为进气孔（11），进气孔（11）直径与还原炉中间进气孔直径相匹配，收集托盘（6）的材质为刚玉。

6.根据权利要求5所述的低熔点金属化合物的收集还原装置，其特征在于：所述吊装板（2）为两个半圆形夹层板，两个半圆形夹层板分别与框架（1）的两个半圆套筒（7）的上板面相连接，吊装板（2）的两个半圆形夹层板的上层板和下层板的圆周边缘分别为齿轮形状，下层板的外径大于半圆套筒（7）的上板面的外径，上层板的外径大于下层板的外径。

7.一种使用上述收集还原装置的低熔点金属化合物的收集还原方法，其特征在于：它对熔点低于800℃的金属的化合物进行收集还原,它包括如下步骤：

a、将锡泥脱水至0～30%含水量，在100～200℃条件下干燥0.5～10小时备用；

b、将步骤a所得锡泥放入焙烧炉或氧化炉内，在700～1500℃条件下焙烧0.1～4小时备用；

c、将步骤b所得锡泥放置小托盘（5）和大托盘（4）中，锡泥平铺厚度小于5cm；

d、将收集还原装置框架（1）的两个半圆套筒（7）分离，放入装有锡泥物料的小托盘（5）和大托盘（4），并放入收集托盘（6）；

e、将收集还原装置框架（1）的两个半圆套筒（7）闭合，并用螺栓（8）紧固备用；

f、将备用的收集还原装置放入还原炉中，在500～800℃条件下还原2～10h，还原气体从还原炉的底部中间进入，还原气体主流在框架内呈S型流动，从还原炉的顶部逸出，还原气体还通过大托盘（4）和小托盘（5）上的小孔，同时，还原得到的金属锡的小液滴通过大托盘（4）和小托盘（5）上的小孔自动滴入下层的收集托盘（6）中；

g、待步骤f完成后，打开收集还原装置的框架（1），由于收集托盘（6）是刚玉材质，金属锡不能粘附在收集托盘（6）上，只需将底层的收集托盘（6）中的金属锡收集备用；

h、将步骤g收集到的金属锡在熔锡釜内重熔，刮去上层的杂质，得到纯度高的锡锭。