[发明专利]一种适用于Cu2SnSe3基热电元件的合金电极及该热电元件的制备工艺有效
| 申请号： | 201610058234.0 | 申请日： | 2016-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN105679928B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 赵德刚;宁纪爱;左敏;王振卿 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | H01L35/04 | 分类号： | H01L35/04;H01L35/34 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所37218 | 代理人： | 李桂存 |
| 地址： | 250022 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 cu sub snse 热电 元件 合金 电极 制备 工艺 | ||
1.一种合金电极与Cu2SnSe3基热电元件的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：
（1）首先将Ti-Ni合金的电极片表面进行喷砂处理；
（2）将Ti-Ni合金的电极片超声清洗，超声完毕后晾干放入石墨模具中；
（3）将Cu2SnSe3粉体原料进行行星球磨；
（4）将行星球磨后的Cu2SnSe3粉体均匀覆盖在石墨模具中的电极表面，在真空条件下进行快速热压烧结。
2.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述Ti-Ni合金中Ni的质量百分含量为15-18%，剩余为Ti。
3.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述Ti-Ni合金的电极片的厚度为0.2-2.0mm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备工艺，其特征在于，所述Ti-Ni合金的电极片进行喷砂处理后的两面的表面粗糙度Ra为1.0-2.0μm。
5.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述Cu2SnSe3粉体的粒度为400-500目。
6.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述行星球磨的条件为：首先按照球料比为12：1，转速为300 转/分，在氩气保护气氛下球磨24小时，其中行星球磨每正向球磨1小时，停止间隔15分钟，然后反向球磨1小时，停止间隔15分钟，循环往复，总共球磨时间为24小时。
7.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述快速热压烧结的工艺参数为：烧结温度为540-560℃，烧结压力为50-60 MPa，其中压力需在320-350℃施加，真空度1-5Pa，升温速率为80-90℃/min，然后保温10-15min。
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