[发明专利]一种彩膜阵列基板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201510622182.0 | 申请日: | 2015-09-25 |
公开(公告)号: | CN105137645B | 公开(公告)日: | 2019-08-30 |
发明(设计)人: | 付如海;林永伦;张君恺;邱杰;叶成亮 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 518006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种彩膜阵列基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
随着人们对液晶显示产品高、精、细品质的要求越来越高,产线对液晶显示屏的阵列基板和彩膜基板的对位压盒精度要求也越来越高。传统的对盒工艺已经无法满足高精度要求,而通过在阵列基板上制作彩色滤光膜来提高对位精度和提升开口率的彩膜阵列基板技术逐渐开展起来。
彩膜阵列基板技术直接在阵列基板上制备彩色滤光膜和黑矩阵,使其与像素电极的对位精度要求大幅度减少,从而使得像素单元的开口率大幅度提高,实现增大光透过率和对比度的目的。现有技术中彩膜阵列基板的彩色滤光膜铺满整个像素单元即铺满像素单元的透光区域和非透光区域(或布线区域),在与薄膜晶体管、扫描线、数据线等对应的位置再铺设黑矩阵以防止非透光区域的漏光,但是薄膜晶体管的漏极需要与黑矩阵和彩色滤光膜上的像素电极实现电连接,通常是将黑矩阵和彩色滤光膜对应漏极连接的位置进行挖孔形成通孔,通过该通孔与像素电极电连接,但是由于黑矩阵材料的光密度较小,需要涂布很厚的黑矩阵材料才能有效避免漏光的问题,而且黑矩阵材料具有一定的流动性,常常会有一部分流入通孔中,或其他地势较低的区域,如从彩膜阵列基板的带有彩色滤光膜的显示区域流到不含有彩色滤光膜的位于彩膜阵列基板边沿的非显示区域,进而使得非透光区域的彩色滤光膜上的黑矩阵变薄,进而引起漏光问题,以最终影响显示品质。
综上,现有技术在像素单元的非透光区域存在黑矩阵变薄而引起漏光的问题,对后续显示品质有不良影响。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种彩膜阵列基板及其制造方法、显示装置,能够在像素单元的非透光区域形成较厚的黑矩阵图案,以避免漏光问题。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种彩膜阵列基板,该彩膜阵列基板包括基板、形成在基板上的多个阵列式排布的像素单元,像素单元包括透光区域及位于透光区域外围的非透光区域,像素单元进一步包括彩色滤光图案和黑矩阵图案,其中彩色滤光图案覆盖透光区域,黑矩阵图案在下方不设置彩色滤光图案的情况下直接覆盖非透光区域。
其中,黑矩阵图案是有机光阻材料。
其中,像素单元进一步包括薄膜晶体管、扫描线图案、数据线图案、第一钝化层和像素电极图案,薄膜晶体管的栅极图案和源极图案分别与扫描线图案和数据线图案连接,像素电极图案位于第一钝化层上部,第一钝化层上设有第一通孔,薄膜晶体管的漏极图案通过第一通孔与像素电极图案连接,黑矩阵图案与薄膜晶体管、扫描线图案和数据线图案对应设置,且直接接触第一钝化层。
其中,黑矩阵图案设置在第一钝化层上。
可选的,黑矩阵图案设置在第一钝化层与基板之间。
其中,黑矩阵图案在第一通孔的位置也设有第二通孔,用于薄膜晶体管的漏极图案通过第一通孔、第二通孔与像素电极图案连接。
其中,像素单元进一步包括第二钝化层,第二钝化层位于黑矩阵图案和像素电极图案之间,第二钝化层上设有第三通孔,用于薄膜晶体管的漏极图案通过第一通孔、第二通孔和第三通孔与像素电极图案连接。
可选的,黑矩阵图案设置在第一钝化层与基板之间。
为解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案是:提供一种显示装置,该显示装置包括上述的彩膜阵列基板。
为解决上述技术问题,本发明采用的又一个技术方案是:提供一种彩膜阵列基板的制造方法,该方法包括以下步骤:提供一基板;在基板上依次形成薄膜晶体管的栅极图案和扫描线图案、栅极绝缘层、半导体层图案、薄膜晶体管的源极图案和漏极图案及数据线图案;
在薄膜晶体管的源极图案和漏极图案及数据线图案上形成第一钝化层;
在第一钝化层上形成彩色滤光图案,使得彩色滤光图案覆盖彩膜阵列基板的透光区域;
在第一钝化层上形成与彩色滤光图案间隔设置的黑矩阵图案,使得黑矩阵图案覆盖彩膜阵列基板的非透光区域。
其中,该制造方法进一步包括:在彩色滤光图案和黑矩阵图案上形成第二钝化层;
在第二钝化层、黑矩阵图案和第一钝化层的对应漏极图案的位置形成通孔;
在第二钝化层上形成像素电极图案,使得像素电极图案通过通孔与漏极图案电连接。
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