[发明专利]一种彩膜阵列基板及其制造方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201510622182.0 申请日: 2015-09-25
公开(公告)号: CN105137645B 公开(公告)日: 2019-08-30
发明(设计)人: 付如海;林永伦;张君恺;邱杰;叶成亮 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335;G02F1/1362
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 何青瓦
地址: 518006 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 及其 制造 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种彩膜阵列基板,其特征在于,所述彩膜阵列基板包括基板、形成在所述基板上的多个阵列式排布的像素单元,所述像素单元包括透光区域及位于所述透光区域外围的非透光区域,所述像素单元进一步包括彩色滤光图案和黑矩阵图案,其中所述彩色滤光图案覆盖所述透光区域,所述黑矩阵图案在下方不设置所述彩色滤光图案的情况下直接覆盖所述非透光区域。

2.根据权利要求1所述的彩膜阵列基板,其特征在于,所述黑矩阵图案是有机光阻材料。

3.根据权利要求1所述的彩膜阵列基板,其特征在于,所述像素单元进一步包括薄膜晶体管、扫描线图案、数据线图案、第一钝化层和像素电极图案,所述薄膜晶体管的栅极图案和源极图案分别与所述扫描线图案和所述数据线图案连接,所述像素电极图案位于所述第一钝化层上部,所述第一钝化层上设有第一通孔,所述薄膜晶体管的漏极图案通过所述第一通孔与所述像素电极图案连接,所述黑矩阵图案与所述薄膜晶体管、所述扫描线图案和所述数据线图案对应设置,且直接接触所述第一钝化层。

4.根据权利要求3所述的彩膜阵列基板,其特征在于,所述黑矩阵图案设置在所述第一钝化层上。

5.根据权利要求4所述的彩膜阵列基板,其特征在于,所述黑矩阵图案在所述第一通孔的位置也设有第二通孔,用于所述薄膜晶体管的漏极图案通过所述第一通孔、所述第二通孔与所述像素电极图案连接。

6.根据权利要求5所述的彩膜阵列基板,其特征在于,所述像素单元进一步包括第二钝化层,所述第二钝化层位于所述黑矩阵图案和所述像素电极图案之间,所述第二钝化层上设有第三通孔,用于所述薄膜晶体管的漏极图案通过所述第一通孔、所述第二通孔和所述第三通孔与所述像素电极图案连接。

7.根据权利要求3所述的彩膜阵列基板,其特征在于,所述黑矩阵图案设置在所述第一钝化层与所述基板之间。

8.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利1至7任意一项所述的彩膜阵列基板。

9.一种彩膜阵列基板的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括以下步骤:

提供一基板;

在所述基板上依次形成薄膜晶体管的栅极图案和扫描线图案、栅极绝缘层、半导体层图案、所述薄膜晶体管的源极图案和漏极图案及数据线图案;

在所述薄膜晶体管的源极图案和漏极图案及所述数据线图案上形成第一钝化层;

在所述第一钝化层上形成彩色滤光图案,使得所述彩色滤光图案覆盖所述彩膜阵列基板的透光区域;

在所述第一钝化层上形成与所述彩色滤光图案间隔设置的黑矩阵图案,使得所述黑矩阵图案覆盖所述彩膜阵列基板的非透光区域。

10.据权利要求9所述的制造方法,其特征在于,所述制造方法进一步包括以下步骤:

在所述彩色滤光图案和所述黑矩阵图案上形成第二钝化层;

在所述第二钝化层、所述黑矩阵图案和所述第一钝化层的对应所述漏极图案的位置形成通孔;

在所述第二钝化层上形成像素电极图案,使得所述像素电极图案通过所述通孔与所述漏极图案电连接。

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