[发明专利]一种石墨烯半导体屏蔽料

权利要求书

1.一种石墨烯半导体屏蔽料，其特征在于所述石墨烯半导体屏蔽料由石墨烯纳米片和乙烯-醋酸乙烯酯组成，石墨烯纳米片占所述屏蔽料质量百分比的0.5～30％。

2.根据权利要求1所述的石墨烯半导体屏蔽料，其特征在于石墨烯纳米片占所述屏蔽料质量百分比的1～10％。

3.根据权利要求1所述的石墨烯半导体屏蔽料，其特征在于石墨烯纳米片占所述屏蔽料质量百分比的1.5～3.3％。

4.一种如权利要求1～3任一项所述的石墨烯半导体屏蔽料的制备方法，所述制备方法包括下述步骤：

1)频率为20～25kHz、功率为70～90％下超声处理石墨烯纳米片配成的水溶液15-30min；

2)在300～500rpm速率下，将乙烯-醋酸乙烯酯乳液加入步骤1)的石墨烯溶液中搅拌30～60min，得絮状混合料；

3)用去离子水冲洗所述混合料，过滤，真空冷冻干燥，得石墨烯半导体屏蔽料的母料；

4)开炼混合10～15h，在160～180℃、压力为8～15MPa下硫化步骤3)所得的母料8～12min，得石墨烯半导体屏蔽料。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于步骤1)中所述石墨烯溶液的浓度为5～20g/L。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于步骤3)中所述的混合料用去离子水冲洗至中性。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于步骤3)中所述的冷冻温度为-50～-15℃，时间为3～5day，真空度＜10Pa。

8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于步骤4)中所述的硫化温度为170～175℃，硫化时间为10～12min，硫化压力为8～12MPa。