[发明专利]混合研磨剂型抛光组合物

权利要求书

1.一种化学机械抛光组合物，包含：

(a)第一研磨剂颗粒，其中该第一研磨剂颗粒为铈土颗粒，且其中该第一研磨剂颗粒的平均粒径为30纳米至1微米，并以0.005重量％至2重量％的浓度存在于该抛光组合物中；

(b)第二研磨剂颗粒，其中该第二研磨剂颗粒为铈土颗粒、经表面改性的硅石颗粒、或有机颗粒，且其中该第二研磨剂颗粒的平均粒径为1纳米至60纳米，并以0.005重量％至2重量％的浓度存在于该抛光组合物中；

(c)经官能化的吡啶、苯甲酸、氨基酸、或其组合；

(d)pH调节剂；以及

(e)水性载体；

其中该抛光组合物呈现多峰粒径分布，且

其中该抛光组合物的pH值为3.5至9。

2.权利要求1的化学机械抛光组合物，其中该第一研磨剂颗粒的平均粒径为50纳米至70纳米。

3.权利要求1的化学机械抛光组合物，其中该第二研磨剂颗粒为铈土颗粒，且其中该第二研磨剂颗粒的平均粒径为20纳米至40纳米。

4.权利要求3的化学机械抛光组合物，其中存在于该抛光组合物中的该第一研磨剂颗粒的浓度与存在于该抛光组合物中的该第二研磨剂颗粒的浓度之比为1:1至5:1。

5.权利要求1的化学机械抛光组合物，其中该第二研磨剂颗粒为铈土颗粒，且其中该第二研磨剂颗粒的平均粒径为1纳米至15纳米。

6.权利要求5的化学机械抛光组合物，其中存在于该抛光组合物中的该第一研磨剂颗粒的浓度与存在于该抛光组合物中的该第二研磨剂颗粒的浓度之比为3:1至6:1。

7.权利要求1的化学机械抛光组合物，其中该第二研磨剂颗粒为经表面改性的硅石颗粒，且其中该第二研磨剂颗粒的平均粒径为1纳米至40纳米。

8.权利要求7的化学机械抛光组合物，其中该第二研磨剂颗粒为阳离子型硅石颗粒。

9.权利要求7的化学机械抛光组合物，其中存在于该抛光组合物中的该第一研磨剂颗粒的浓度与存在于该抛光组合物中的该第二研磨剂颗粒的浓度之比为1:1至15:1。

10.权利要求1的化学机械抛光组合物，其中该第二研磨剂颗粒是选自明胶、胶乳、纤维素、聚苯乙烯、及聚丙烯酸酯的有机颗粒，且其中该第二研磨剂颗粒的平均粒径为1纳米至40纳米。

11.权利要求10的化学机械抛光组合物，其中该第二研磨剂颗粒为明胶颗粒。

12.权利要求10的化学机械抛光组合物，其中存在于该抛光组合物中的该第一研磨剂颗粒的浓度与存在于该抛光组合物中的该第二研磨剂颗粒的浓度之比为1:1至30:1。

13.权利要求1的化学机械抛光组合物，其中该经官能化的吡啶为吡啶甲酸。

14.权利要求1的化学机械抛光组合物，其中该pH调节剂为烷基胺、醇胺、季胺氢氧化物、氨、或其组合。

15.权利要求14的化学机械抛光组合物，其中该pH调节剂为三乙醇胺。

16.权利要求1的化学机械抛光组合物，其中该抛光组合物的pH值为3.5至5。

17.一种化学机械抛光组合物，包含：

(a)第一研磨剂颗粒，其中该第一研磨剂颗粒为铈土颗粒，且其中该第一研磨剂颗粒的平均粒径为30纳米至1微米，并以0.005重量％至2重量％的浓度存在于该抛光组合物中；

(b)第二研磨剂颗粒，其中该第二研磨剂颗粒为铈土颗粒、经表面改性的硅石颗粒、或有机颗粒，且其中该第二研磨剂颗粒的平均粒径为1纳米至60纳米，并以0.005重量％至2重量％的浓度存在于该抛光组合物中；

(c)聚合物添加剂，其选自聚乙二醇(PEG)、聚乙烯醇、聚(甲基丙烯酸羟乙酯)、甲基丙烯酸羟乙酯的共聚物、纤维素、阳离子型树枝状大分子、甲基丙烯酰氧乙基三甲基铵的单体或均聚物、或其组合；

(d)pH调节剂；以及

(e)水性载体；

其中该抛光组合物呈现多峰粒径分布，且

其中该抛光组合物的pH值为6至9。