[实用新型]一种含光取出结构的显示屏体有效
申请号: | 201420854328.5 | 申请日: | 2014-12-29 |
公开(公告)号: | CN204271086U | 公开(公告)日: | 2015-04-15 |
发明(设计)人: | 张国辉;董艳波;王静;李曼;胡永岚 | 申请(专利权)人: | 北京维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/50 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽 |
地址: | 100085 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 取出 结构 显示屏 | ||
1.一种含光取出结构的显示屏体,包括在基板(1)上形成的若干像素单元,每一所述像素单元包括依次堆叠设置的第一电极层(2)、有机功能层(4)和第二电极层(5),其特征在于,
所述像素单元还包括设置在所述基板和第二电极层(5)之间的光取出层(3),所述光取出层(3)中设置有用以改变第二电极反射界面平整性的若干不同质界面区域,所述不同质界面区域占所述光取出层面积的0.1-30%;
相邻所述像素单元之间设置有防串扰层(10),所述防串扰层(10)的高度大于等于所述光取出层(3)的厚度。
2.根据权利要求1所述含光取出结构的显示屏体,其特征在于,所述防串扰层(10)采用黑色矩阵吸光层或反射材料矩阵层。
3.根据权利要求2所述含光取出结构的显示屏体,其特征在于,所述黑色矩阵层为黑色光阻材料层,所述反射材料层为金属反光材料层或者高反射率的无机盐类材料层。
4.根据权利要求1-3任一所述含光取出结构的显示屏体,其特征在于,所述不同质界面区域占所述光取出层(3)面积的0.1-20%。
5.根据权利要求4所述含光取出结构的显示屏体,其特征在于,所述不同质界面区域的面积占所述光取出层(3)面积的0.5-10%。
6.根据权利要求5所述含光取出结构的显示屏体,其特征在于,所述不同质界面区域的面积占所述光取出层(3)面积的0.5-5%。
7.根据权利要求1所述含光取出结构的显示屏体,其特征在于,所述光取出层(3)为若干微柱体(6)构成的微柱体光取出层,相邻所述微柱体(6)之间为空白区域,所述微柱体(6)构成所述不同质界面区域。
8.根据权利要求1所述含光取出结构的显示屏体,其特征在于,所述光取出层包括光取出本体材料和在光取出本体材料中设置的若干微孔(13),所述微孔(13)构成所述不同质界面区域。
9.根据权利要求7或8所述含光取出结构的显示屏体,其特征在于,所述有机发光层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层中的一层或其组合;
所述光取出层(3)设置在所述基板(1)、第一电极(2)、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和第二电极层(5)中任意相邻的两层之间。
10.根据权利要求9所述含光取出结构的显示屏体,其特征在于,所述显示屏体为顶发光模式、底发光模式或白光+滤光膜模式。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的