[实用新型]去芯片静电的粘片机有效
申请号: | 201420338889.X | 申请日: | 2014-06-24 |
公开(公告)号: | CN203932024U | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | 蔡晓雄 | 申请(专利权)人: | 上海胜芯微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 201514 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 静电 粘片机 | ||
技术领域
本实用新型涉及芯片封装领域,尤其涉及一种去芯片静电的粘片机。
背景技术
工业生产中由于物品相互之间的摩擦、剥离、挤压、感应等使物体表面积存有不同性质的电荷。当此种电荷积累达到一定程度时,就会产生静电吸附和放电现象。静电荷的积聚和放电对工业生产会造成很大的影响和破坏。比如物体的粘附、排斥、静电击穿、人体电击、引发爆炸等。
而对于半导体芯片而言,如果表面积累电荷,会引起芯片的电学性能异常,导致器件失效。在封装工艺中将芯片粘贴在引线框架上的步骤,需要用夹具夹取芯片,该步骤特别容易在芯片中引入静电。因此芯片粘片机特别需要进行防静电设计。
现有技术中一种常见的方法是将粘片机中放置芯片的载物台接地,从而将芯片的电荷引出。由于芯片和粘片的基座之间是绝缘的,因此需要专门的探针等机械结构将芯片同载物台电学导通。而专门的探针容易将芯片划伤,且不能保证接触的可靠性,因此无法保证将芯片中的电荷引出的成功率。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是,提供一种能够去芯片静电的粘片机,能够提高芯片中电荷引出的成功率。
为了解决上述问题,本实用新型提供了一种去芯片静电的粘片机,包括放置芯片和引线框架的载物台,在载物台的一侧设置一等离子体发生装置以及一风机,所述风机朝向所述载物台设置,所述等离子发生装置设置在风机和载物台之间,能够将等离子体发生装置产生的由正、负电荷构成的等离子体吹向载物台表面。
可选的,所述风机进一步包括一输出功率调节装置,该装置能够调节风机电机的输出功率,从而调节风机吹风的风速,防止载物台表面的芯片被吹落。
可选的,所述等离子体发生装置进一步包括一等离子发生功率调节装置,该装置能够调节等离子体发生装置的功率,从而调节等离子体的浓度。
本实用新型的优点在于,采用等离子体发生装置代替机械连接结构来去除电荷,能够保护芯片表面不受损伤,且不会发生接触不良而导致电荷无法去除的情况。并且该方法还可以同时去除芯片和周边环境中的电荷。
附图说明
附图1所示是本实用新型具体实施方式的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型提供的去芯片静电的粘片机的具体实施方式做详细说明。
附图1所示是本实用新型具体实施方式的结构示意图,包括载物台10,载物台10表面放置芯片11和引线框架12。载物台10的一侧设置一等离子体发生装置13以及一风机14。所述风机14朝向所述载物台10设置,所述等离子发生装置13设置在风机14和载物台10之间,能够将等离子体发生装置13产生的由正、负电荷构成的等离子体吹向载物台10表面。等离子体吹送至芯片11的表面,将芯片11表面及周边所带的电荷中和掉。当芯片11表面及四周所带为负电荷时,它会吸引气流中的正电荷;当芯片11表面及四周所带为正电荷时,它会吸引气流中的负电荷,从而使芯片11表面上的静电被中和,达到消除静电的目的。
由于芯片11是通过焊料或者导电银浆等粘接在引线框架12的表面的,风速过大会导致吹落芯片11。故所述风机14还可以进一步包括一输出功率调节装置141,该装置能够调节风机14的电机输出功率,从而调节风机14吹风的风速,防止载物台10表面的芯片11被吹落。
等离子体浓度与发射功率是成正比的。因此所述等离子体发生装置13可以进一步包括一等离子发生功率调节装置131,该装置能够调节等离子体发生装置13的功率,从而调节等离子体的浓度。可将等离子体浓度调节至恰好满足将芯片11表面以及周围的电荷全部中和掉的要求。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造