[实用新型]研磨砂轮结构

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体加工机械领域，涉及一种磨砂轮结构。

背景技术

三维集成电路(3D IC)是将多颗芯片进行三维空间垂直整合，是一种单一芯片，使用芯片上的信号层上的所有组件，无论是垂直或水平。目前世界各国在3D IC的研发上多处于先期发展阶段，尚未成为成熟之技术。目前业界在三维芯片会用硅穿孔(TSV)的方式在垂直方向实现相互连接。芯片制造模具，采用面对面堆积，允许通过结构的密度。背面TSV技术用于IO和电源。对于3D平面布置图，设计人员手动安排每个芯片中的功能块，以降低功耗和性能改进。允许分拆大型和高功率模块和精心重排，以限制热的热点。与2D相比,3D设计提供了15％的性能提升和15％的节能。

一种制作3D IC的方式是将电子元件建立在两个或两个以上的半导体芯片，然后对准、粘合，并切粒成3D集成电路。其中，每个芯片可以在粘接之后进行减薄。将器件片(device wafer)与承载片(carrier wafer)键合之后，顶层的器件片需要用研磨工具磨掉700微米左右，只剩5～70微米。研磨过程通常包括四个阶段：第一阶段及第二阶段用不同粒度的研磨砂轮进行机械研磨，第三阶段及第四阶段采用研磨液进行化学机械抛光及去除缺陷。

现有技术中，第一阶段及第二阶段使用的研磨砂轮的研磨片的切角为直角，研磨过程中导致芯片的剥离的概率很高。

因此，提供一种新的研磨砂轮结构以保证良好的研磨质量、减少研磨过程中芯片发生剥离的现象实属必要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种研磨砂轮结构，用于解决现有技术中的研磨砂轮在研磨过程中容易导致芯片剥离的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种研磨砂轮结构，至少包括一环形安装部及若干环设于所述环形安装部外缘且间隔排列的研磨片；所述研磨片包括相对的一对圆弧形侧面及相对的一对平面侧面；所述圆弧形侧面平行于所述环形安装部的圆周；所述平面侧面与所述圆弧形侧面的夹角为锐角或钝角。

可选地，所述平面侧面与所述圆弧形侧面的夹角为60°。

可选地，所述平面侧面与所述圆弧形侧面的夹角为120°。

可选地，相邻两个研磨片之间的距离相等。

可选地，所述研磨片通过与设置于所述环形安装部上的安装槽相配合装设于所述环形安装部上。

可选地，所述环形安装部内侧还设有若干螺孔。

可选地，所述研磨砂轮结构为粗磨砂轮。

可选地，所述研磨砂轮结构为精磨砂轮

如上所述，本实用新型的研磨砂轮结构，具有以下有益效果：该研磨砂轮结构，至少包括一环形安装部及若干环设于所述环形安装部外缘且间隔排列的研磨片；所述研磨片包括相对的一对圆弧形侧面及相对的一对平面侧面；所述圆弧形侧面平行于所述环形安装部的圆周；所述平面侧面与所述圆弧形侧面的夹角为锐角或钝角。使用本实用新型的研磨砂轮结构对晶圆进行减薄，能够改善研磨时的受力方向，保证良好的晶圆研磨质量，降低芯片剥离的概率，提高产品良率。

附图说明

图1显示为本实用新型的研磨砂轮结构在实施例一中的俯视示意图。

图2显示为本实用新型的研磨砂轮结构在实施例一中的剖视示意图。

图3显示为本实用新型的研磨砂轮结构在实施例一中研磨片的放大图。

图4显示为本实用新型的研磨砂轮结构在实施例一中研磨片的侧视图。

图5显示为本实用新型的研磨砂轮结构在实施例二中的俯视示意图。

图6显示为本实用新型的研磨砂轮结构在实施例二中研磨片的放大图。

图7显示为本实用新型的研磨砂轮结构在实施例一中研磨片的侧视图。

元件标号说明

1  环形安装部

2  研磨片

3  螺孔

4  轴孔

5  安装槽

d  相邻两个研磨片之间的距离

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效。