[实用新型]高灵敏度CMOS图像传感器共享型像素结构

权利要求书

1.一种高灵敏度CMOS图像传感器共享型像素结构，包括多个光电二极管及相同数量的电荷传输晶体管及第一漂浮有源区，还包括一个复位晶体管、一个源跟随晶体管、一个行选择晶体管和第二漂浮有源区，其特征在于，所述第一漂浮有源区与第二漂浮有源区之间通过一个开关晶体管隔开。

2.根据权利要求1所述的高灵敏度CMOS图像传感器共享型像素结构，其特征在于，所述开关晶体管的漏极与所述第二漂浮有源区相连、源极与所述第一漂浮有源区相连。

3.根据权利要求2所述的高灵敏度CMOS图像传感器共享型像素结构，其特征在于，所述源跟随晶体管的栅极与所述第二漂浮有源区相连，所述源跟随晶体管用于探测所述第二漂浮有源区的电势信号变化。

4.根据权利要求3所述的高灵敏度CMOS图像传感器共享型像素结构，其特征在于，该高灵敏度CMOS图像传感器共享型像素结构中，共享型像素包含的像素数量大于或等于两个。

5.根据权利要求4所述的高灵敏度CMOS图像传感器共享型像素结构，其特征在于，所述第二漂浮有源区的寄生总电容不随共享像素包含的数量的变化而变化。

6.根据权利要求1至5任一项所述的高灵敏度CMOS图像传感器共享型像素结构，其特征在于，在进行光电电荷转移操作时，所述第一漂浮有源区的电势高于所述光电二极管完全耗尽电势0V～0.3V。

7.根据权利要求6所述的高灵敏度CMOS图像传感器共享型像素结构，其特征在于，所述第一漂浮有源区包括晶体管源漏有源区或者光电二极管工艺的有源区。

8.根据权利要求6所述的高灵敏度CMOS图像传感器共享型像素结构，其特征在于，所述光电二极管包括Pin型光电二极管、部分Pin型光电二极管或者多晶硅栅型光电二极管。