[发明专利]导电桥存储器系统及其制造方法

权利要求书

1.一种导电桥存储器系统的制造方法，包括：

在下电极上提供具有孔的介电层，所述孔在所述下电极上方；

在所述下电极上方并在所述孔中形成离子源层，包括：

在所述下电极上方沉积再活化层，

在所述再活化层上沉积第一离子源层，

在所述第一离子源层上沉积另一再活化层，

在所述另一再活化层上沉积第二离子源层；和

在所述第二离子源层上形成上电极。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述下电极上并在所述孔中形成电阻改变层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积第一离子源层包括：

沉积前过渡金属；和

沉积硫族元素。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积第二离子源层包括：

沉积后过渡金属；和

沉积硫族元素。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积再活化层包括：

沉积前主族金属；和

沉积硫族元素。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述下电极上并在所述孔中形成电阻改变层；

其中：

沉积再活化层包括沉积前主族金属和硫族元素；

沉积第一离子源层包括沉积前过渡金属和硫族元素；并且

沉积第二离子源层包括沉积后过渡金属和硫族元素。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括将晶体管连接到所述下电极。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，沉积第一离子源层包括：

沉积锆；和

沉积碲。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，沉积第二离子源层包括：

沉积铜；和

沉积碲。

10.根据权利要求6所述的方法，其中，沉积再活化层包括：

沉积铝；和

沉积碲。

11.一种导电桥存储器系统的制造方法，包括：

在下电极上提供具有孔的介电层，所述孔在所述下电极上方；

在所述下电极上并在所述孔中形成电阻改变层；

在所述电阻改变层上并在所述孔中形成离子源层，包括：

在所述电阻改变层上沉积具有碲化铝的再活化层，

在所述再活化层上沉积具有碲化锆的第一离子源层，

在所述第一离子源层上沉积另一再活化层，

在所述另一再活化层上沉积具有碲化铜的第二离子源层；和在所述第二离子源层上形成上电极。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，形成离子源层包括通过化学气相沉积或原子层沉积来沉积材料。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，沉积具有碲化锆的第一离子源层包括在化学气相沉积工艺中提供具有通用化学式Zr(NR2)4的锆前体。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，沉积具有碲化铜的第二离子源层包括用具有碲化铝的再活化层使具有碲化锆的第一离子源层的表面再活化。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，沉积具有碲化铜的第二离子源层包括在化学气相沉积或原子层沉积工艺中提供铜前体。