[发明专利]并联结构功率设备及其控制方法

权利要求书

1.一种并联结构功率设备，包括：

交流-直流(AC-DC)转换单元，用于对交流电进行整流从而生成直流电；

主驱动单元，包括多个对应于电机的每一相的线圈的主开关模块，并允许通过控制信号切换所述主开关模块从而将由所述AC-DC转换单元整流的所述直流电提供到每一相的线圈和将由每一相的线圈的磁通量生成的磁力提供给转子；

副驱动单元，包括多个对应于所述电机的每一相的线圈的副开关模块，并允许通过所述控制信号切换所述副开关模块从而将由所述AC-DC转换单元整流的所述直流电提供到每一相的线圈和将由每一相的线圈的磁通量生成的磁力提供给所述转子；

温度传感器单元，测量和输出所述主驱动单元和所述副驱动单元的温度；以及

控制单元，根据所述电机的状态分别控制所述主驱动单元或所述副驱动单元以使所述电机旋转，和控制所述主驱动单元或所述副驱动单元从而当由所述温度传感器单元测量的温度变成预定温度或高于预定温度时使得正被驱动的所述主驱动单元或所述副驱动单元被关闭和处于停止状态的所述主驱动单元或所述副驱动单元被驱动。

2.根据权利要求1所述的并联结构功率设备，其中所述控制单元控制所述主驱动单元或所述副驱动单元，从而当在所述电机的旋转期间在正被驱动的所述主驱动单元或所述副驱动单元中发现故障时关闭正被驱动的所述主驱动单元或所述副驱动单元，并驱动处于停止状态的所述主驱动单元或所述副驱动单元。

3.根据权利要求1所述的并联结构功率设备，其中通过桥接电路配置所述主驱动单元，所述桥接电路通过多个彼此并联连接的用于每一相的主开关模块来配置。

4.根据权利要求1所述的并联结构功率设备，其中所述主驱动单元的多个主开关模块被配置成使得每个由主晶体管配置的一对主半导体开关彼此串联连接，所述一对主半导体开关具有作为交流输出部分的连接点，所述连接点连接到星型连接的所述电机的三相励磁绕组，以及所述主晶体管中的每一者以反相并联的方式连接到主二极管中的每一者。

5.根据权利要求1所述的并联结构功率设备，其中通过桥接电路配置所述副驱动单元，所述桥接电路通过多个彼此并联连接的用于每一相的副开关模块来配置。

6.根据权利要求1所述的并联结构功率设备，其中所述副驱动单元的多个副开关模块被配置成使得每个由副晶体管配置的一对副半导体开关彼此串联连接，所述一对副半导体开关具有作为交流输出部分的连接点，该连接点连接到星型连接的所述电机的三相励磁绕组，以及所述副晶体管中的每一者以反相并联的方式连接到副二极管中的每一者。

7.根据权利要求1所述的并联结构功率设备，其中通过上主开关和下主开关来配置所述主驱动单元的多个主开关模块，每个所述主开关模块由所述控制信号开启以向所述转子提供由对应相的磁通量生成的磁力，所述多个主开关模块根据所述控制信号开启所述上主开关和所述下主开关，从而向所述转子提供由所述对应相的磁通量生成的磁力。

8.根据权利要求1所述的并联结构功率设备，其中所述主驱动单元的所述主开关模块包括：

上主半导体开关，该上主半导体开关包括连接到所述对应相的线圈的一侧的上主晶体管元件，该上主晶体管元件用于根据通过控制终端输入的所述控制信号来中断功率供应，该上主半导体开关还包括保护二极管，该保护二极管用于在开启和关闭所述上主晶体管元件时保护所述上主晶体管元件不受所述对应相的线圈生成的反电动势影响；以及

下主半导体开关，该下主半导体开关包括连接到所述对应相的线圈的另一侧的下主晶体管元件，该下主晶体管元件用于根据通过所述控制终端输入的所述控制信号来中断功率供应，该下主半导体开关还包括保护二极管，该保护二极管用于在开启和关闭所述下主晶体管元件时保护所述下主晶体管元件不受所述对应相的线圈生成的反电动势影响。

9.根据权利要求1所述的并联结构功率设备，其中通过上副开关和下副开关来配置所述副驱动单元的副开关模块，每个所述副开关模块通过控制信号开启以向所述转子提供由对应相的磁通量生成的磁力，所述副开关模块根据所述控制信号来开启所述上副开关和所述下副开关，从而向所述转子提供由所述对应相的磁通量生成的磁力。