[发明专利]雷射图案化隐形感测层基板

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种雷射图案化技术，特别涉及一种触控面板的雷射图案化隐形感测层基板。

【背景技术】

近年来，触控技术已经逐渐广泛应用在一般的消费性电子商品上，例如行动通讯装置、数字相机、数字音乐播放器(MP3)、个人数字助理器(PDA)、卫星导航器(GPS)、掌上型计算机(hand-held PC)、平板计算机(tablet)，甚至崭新的超级行动计算机(Ultra Mobile PC,UMPC)等。触控技术可以多种形式应用在显示面板上，例如是外加触控面板在显示面板上(外挂式)，或是直接在显示面板上制作触控感测单元(内嵌式，又分为on-cell与in-cell两种)。

但是，制作触控感测单元的工艺需经过成膜、曝光、显影、蚀刻等工艺形成，其中在微影工艺的一连串步骤中，很容易在基板上残留曝光阶段使用的光阻和显影液，而影响到后续进行的蚀刻或其它沉积工艺的质量。而且，光阻涂布、软烤、曝光、显影、硬烤、去光阻、回火等工艺过于繁复，例如回火通常需要进行烤箱回火步骤才能使非晶质转变成多晶质材料，不但制作成本高、耗时，人为的疏失以及不当的工艺控制也都很容易造成基板弯曲、损坏或是污染。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种雷射图案化隐形感测层基板，能够简化工艺而节省制作成本，并可得到较为准确的移转图案，同时避免公知将基板送到烤箱回火而容易造成基板弯曲、损坏或污染等问题。

为达上述目的，本发明的一种雷射图案化隐形感测层基板包括一基板以及至少一结构变化层。结构变化层具有多个结构变化单元共平面的设置在基板上。结构变化层是由雷射回火处理基板上的一感测层，以形成一具有一弯折的抗扰斑块图案与一感测层预定图案，而产生不同的结构变化单元，并透过控制不同的结构变化单元的蚀刻速率差异，去除抗扰斑块图案以外与感测层预定图案以外的部分，而形成触控面板的隐形感测层。

为达上述目的，本发明的另一种雷射图案化隐形感测层基板包括一基板以及至少一图案化结晶铟锡氧化物层。图案化结晶铟锡氧化物层具有多个铟锡氧化物单元共平面的设置在基板上。图案化结晶铟锡氧化物层是由雷射回火处理基板上的一非晶铟锡氧化物层，以形成一具有一弯折的抗扰斑块图案与一感测层预定图案，而产生不同的铟锡氧化物单元，并透过控制不同的铟锡氧化物单元的蚀刻速率差异，去除抗扰斑块图案以外与感测层预定图案以外的部分，而形成触控面板的隐形感测层。

为达上述目的，本发明的又一种雷射图案化隐形感测层基板包括一基板以及多条纳米金属线。纳米金属线共平面的间隔设置在基板上。所述多条纳米金属线是由雷射回火处理基板上的一纳米金属层，以形成一具有一弯折的抗扰斑块图案与一感测层预定图案，而产生不同的纳米结构变化单元，并透过控制不同的纳米结构变化单元的蚀刻速率差异，去除抗扰斑块图案以外与感测层预定图案以外的部分，而形成触控面板的隐形感测层。

在一实施例中，纳米金属层包括一基质及多个纳米金属结构，多个纳米金属结构设置在基质内。

在一实施例中，基质透过雷射回火处理后被去除。

在一实施例中，去除方式是湿式蚀刻。

在一实施例中，隐形感测层是作为电极、线路、触控感测单元、接地至少其中之一。

在一实施例中，隐形感测层是导电线样式或导电区块样式。

在一实施例中，基板是可挠性基板或刚性基板。

在一实施例中，当配置多层隐形感测层时，相邻的隐形感测层之间设置一绝缘层。

在一实施例中，不同层隐形感测层的导通方向不相同。

在一实施例中，绝缘层的材料包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、或聚亚酰胺。

承上所述，在本发明将触控面板的感测层以具有弯折的抗扰斑块图案与感测层预定图案进行雷射回火处理，再去除抗扰斑块图案以外与感测层预定图案以外的部分感测层，而形成触控面板的隐形感测层，这种方式制作的雷射图案化隐形感测层基板能够简化工艺而节省制作成本，并可得到较为准确的移转图案，同时避免公知将基板送到烤箱回火而容易造成基板弯曲、损坏或污染等问题。

【附图说明】

图1是本发明较佳实施例的触控面板的隐形感测层的雷射图案化设备的功能方块图。

图2是雷射单元的功能方块图。

图3A是雷射回火处理的立体示意图。

图3B是图3A沿A-A线段的剖面图。

图4是感测层在工作雷射光照射前后的示意图。