[发明专利]外部谐振器型发光装置

权利要求书

1.一种外部谐振器型发光装置，其具备：用于使半导体激光振荡的光源和光栅元件，且所述使半导体激光振荡的光源和所述光栅元件构成外部谐振器，其特征在于，

所述光源具备用于使所述半导体激光振荡的活性层，

所述光栅元件具备：光波导路，其具有射入所述半导体激光的入射面和射出期望波长的出射光的出射面；布拉格光栅，其在该光波导路内形成；及传播部，其设置在所述入射面和所述布拉格光栅之间，并且满足下述式(1)-式(4)的关系，

Δλ_G≧0.8nm       ……(1)

L_b≦500μm         ……(2)

L_a≦500μm         ……(3)

n_b≧1.8            ……(4)

在式(1)中，Δλ_G是布拉格反射率的峰值的半高宽；

在式(2)中，L_b是所述布拉格光栅的长度；

在式(3)中，L_a是所述活性层的长度；

在式(4)中，n_b是构成所述布拉格光栅的材质的折射率。

2.根据权利要求1所述的外部谐振器型发光装置，其特征在于，

所述光源和所述光栅元件直接光学连接，

所述布拉格光栅的长度L_b、所述活性层的长度L_a、所述光源的出射面与所述光波导层的所述入射面之间的距离L_g、及所述传播部的长度L_m之和在910μm以下。

3.根据权利要求1或2所述的外部谐振器型发光装置，其特征在于，

满足下述式(5)的关系，

在式(5)中，dλ_G/dT是布拉格波长的温度系数，

dλ_TM/dT是满足外部谐振器型激光器的相位条件的波长的温度系数，

并且，外部谐振器型发光装置是外部谐振器型激光器。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的外部谐振器型发光装置，其特征在于，

满足下述式(6)-(8)的关系，

L_WG≦600μm        ……(6)

1μm≦L_g≦10μm    ……(7)

20μm≦L_m≦100μm ……(8)

在式(6)中，L_WG是所述光栅元件的长度；

在式(7)中，L_g是所述光源的所述出射面与所述光波导层的所述入射面之间的距离；

在式(8)中，L_m是所述传播部的长度。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的外部谐振器型发光装置，其特征在于，

所述布拉格光栅的反射率，比在所述活性层的所述光栅元件侧的端面设置的无反射膜的反射率、在所述光波导路的所述入射面侧设置的无反射膜的反射率、及在所述光波导路的所述出射面侧设置的无反射膜的反射率更大。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的外部谐振器型发光装置，其特征在于，

所述布拉格光栅的所述材质选自砷化镓、铌酸锂、氧化钽、氧化锌、及氧化铝。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的外部谐振器型发光装置，其特征在于，

所述外部谐振器型发光装置具有设置在所述光波导路上的缓冲层。