[发明专利]一种“寿司”结构的自修复导电材料及其制备方法

权利要求书

1.一种“寿司”结构的自修复导电材料，其特征在于：所述自修复导电材料是在超支化聚合物薄膜上平铺导电介质，然后以所述导电介质向内卷曲成棒状“寿司”结构获得。

2.根据权利要求1所述的“寿司”结构的自修复导电材料，其特征在于：所述导电介质质量为所述超支化聚合物薄膜质量的5％-15％。

3.根据权利要求1或2所述的“寿司”结构的自修复导电材料，其特征在于：所述超支化聚合物薄膜是由超支化聚酰胺-胺经溶液浇铸法制得。

4.根据权利要求3所述的“寿司”结构的自修复导电材料，其特征在于：所述超支化聚酰胺-胺是由N,N’-胱胺二丙烯酰胺单体和1-(2-氨基乙基)哌嗪单体按摩尔比为1:1混合后经迈克尔加成聚合反应得到。

5.根据权利要求4所述的“寿司”结构的自修复导电材料，其特征在于：所述迈克尔加成聚合反应的溶剂选自甲醇与水中的一种或混合，反应温度为50℃，反应时间是在冷凝回流下反应5天。

6.根据权利要求1所述的“寿司”结构的自修复导电材料，其特征在于：所述导电介质选自纳米碳材料或纳米金属材料。

7.一种权利要求1所述“寿司”结构的自修复导电材料的制备方法，其特征在于按如下步骤进行：

a、将超支化聚酰胺-胺溶解于甲醇中，获得超支化聚合物溶液；将所述超支化聚合物溶液倒入模具中，室温干燥24h，获得干燥后样品；将所述干燥后样品在50℃、-0.05Mpa条件下干燥4天，然后移入保干器，放置48h，获得超支化聚合物薄膜；所述超支化聚酰胺-胺质量与所述甲醇的体积比为：1g/4mL；

b、将导电介质分散于甲醇中，获得悬浮液；所述导电介质质量与所述甲醇的体积比为：1g/2mL；所述导电介质质量为所述超支化聚合物薄膜质量的5％-15％。

c、将所述悬浮液均匀浇铸在所述超支化聚合物薄膜的表面，室温干燥至恒重，获得基体材料；

d、以所述导电介质向内，将所述基体材料从一端开始卷曲成棒状“寿司”结构，即得自修复导电材料。