[发明专利]一种纯钴渗硼硅处理方法

权利要求书

1.一种纯钴渗硼硅处理方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤一，试样表面处理

采用99.95wt％纯钴，经线切割加工成10mm×10mm×10mm的试样，将该试样表面经600号砂纸打磨并抛光处理；

步骤二，渗硼硅处理

将步骤一所制的纯钴试样用乙醇除油清洗；将清洗过的纯钴放置在渗剂中，所述纯钴和渗剂的质量比约为1：10-20，并密封在钢制渗箱中，将渗箱放入加热炉内，处理参数分别为850℃下保温2h、4h、6h、8h，900℃下保温2h、4h、6h、8h，950℃下保温2h、4h、6h、8h，之后随炉冷却到室温取出既得具有硼硅渗层的钴片，所述渗层的内层为硼化物层，外层为硅化物层。

2.如权利要求1所述的一种纯钴渗硼硅处理方法，其特征在于步骤一中所述的渗剂为粒状，粒度为1mm。

3.如权利要求1所述的一种纯钴渗硼硅处理方法，其特征在于步骤二中所述的渗剂由供硼剂、活化剂和填充剂(供硅剂)组成，所述供硼剂为B₄C，活化剂为KBF₄，填充剂(供硅剂)为SiC，其中B₄C、KBF₄、SiC的质量比为1-10:1-5:80-95。

4.如权利要求2所述的一种纯钴渗硼硅处理方法，其特征在于所述B₄C、KBF₄、SiC的质量比为8：4：88。

5.如权利要求1所述的一种纯钴渗硼硅处理方法，其特征在于步骤二所述加热炉为SX2-4-10型箱式电阻炉。

6.如权利要求1所述的一种纯钴渗硼硅处理方法，其特征在于步骤二中所制得的具有硼硅渗层的钴片中渗层的厚度大约在40-186μm，所述硼化物层和硅化物层的厚度比值为1-4:8-10，硅化物层硬度大约为710HV_0.025，硼化物层硬度大约为1296-1444HV_0.025。

7.如权利要求6所述的一种纯钴渗硼硅处理方法，其特征在于硅化物层的厚度约15μm，过渡层的厚度约15μm，硼化物层的厚度约104μm。

8.如权利要求1所述的一种纯钴渗硼硅处理方法，其特征在于步骤二中所制得的具有硼硅渗层的钴片的磨损率为2.46mg/km。