[发明专利]非挥发性内存单元及其制造方法

权利要求书

1.一种非挥发性内存单元，其特征在于，包含：

一基板，具有一上表面，且所述基板中设置一源极扩散区及一漏极扩散区；

一第一介电层，形成于所述基板的上表面，且位于所述漏极扩散区一侧；

一穿隧介电层，形成于所述基板的上表面，且位于所述源极扩散区一侧,所述穿隧介电层的下表面覆盖部分的所述源极扩散区；

一源极绝缘层，形成于所述基板的源极扩散区的上表面，所述源极绝缘层的下表面全部包覆所述源极扩散区；

一选择栅极区，形成于所述第一介电层之上；

一悬浮栅极区，形成于所述穿隧介电层与所述源极绝缘层的表面上，且所述悬浮栅极区的一部份位于覆盖部分源极扩散区的穿隧介电层上方；

一第二介电层，形成于所述悬浮栅极区的表面上；以及

一控制栅极区，形成于所述悬浮栅极区之上，且所述控制栅极区与所述悬浮栅极区以所述第二介电层相绝缘。

2.如权利要求1所述的非挥发性内存单元，其特征在于，所述源极扩散区为一浓淡渐次扩散掺杂的结构。

3.如权利要求1所述的非挥发性内存单元，其特征在于，所述第一介电层厚度介于0.5纳米至10纳米之间。

4.如权利要求1所述的非挥发性内存单元，其特征在于，所述穿隧介电层厚度介于5纳米至15纳米之间。

5.如权利要求1所述的非挥发性内存单元，其特征在于，所述源极绝缘层厚度介于10纳米至30纳米之间,且大于所述穿隧介电层的厚度。

6.一种非挥发性内存单元的制造方法，其特征在于，包含：

提供一基板，其中所述基板具有一上表面；

形成一第一介电层于所述基板的上表面；

形成一选择栅极区于所述第一介电层之上；

形成一选择闸侧壁绝缘层，于选择栅极区未覆盖所述基板上表面处形成一穿隧介电层,连接于所述选择栅极区上表面；

形成一自对准源极掺杂阻挡层；

以掺杂方式形成源极扩散区;

去除自对准源极掺杂阻挡层；

以硅氧化方式形成穿隧介电层与较厚的源极绝缘层于源极掺杂区表面之上，所述源极掺杂的较淡掺杂区自对准形成于穿隧介电层与源极绝缘层相接处,并涵盖穿隧介电层的一部分；

形成自动对准浮动栅极于穿隧介电层与源极绝缘层之上;

于该悬浮栅极区之上，形成一第二介电层；

于该第二介电层之上，形成一控制栅极区，且所述控制栅极区的一部份位于该第二介电层的沟渠结构的空间中。

7.如权利要求6所述的非挥发性内存单元的制造方法，其特征在于，所述源极扩散区为一浓淡渐次扩散掺杂的结构。

8.如权利要求6所述的非挥发性内存单元的制造方法，其特征在于，所述第一介电层的厚度介于0.5纳米至10纳米之间。

9.如权利要求6所述的非挥发性内存单元的制造方法，其特征在于，所述穿隧介电层的厚度介于5纳米至12纳米之间。

10.如权利要求6所述的非挥发性内存单元的制造方法，其特征在于，所述源极绝缘层之厚度介于10纳米至30纳米之间,且大于穿隧介电层的厚度。

11.一种非挥发性内存单元的制造方法，其特征在于，包含：

提供一基板，所述基板具有一上表面；

形成一第一介电层于所述基板的上表面；

形成一选择栅极区于该第一介电层之上；

形成一选择闸侧壁绝缘层，于选择栅极区未覆盖所述基板上表面之上形成一穿隧介电层,连接于所述选择栅极上表面之上；

形成一自对准源极掺杂阻挡层；

以掺杂方式形成源极扩散区;

以硅氧化方式形成源极绝缘层于源极掺杂区表面之上；

形成一穿隧介电层,上述源极掺杂的较淡掺杂区自对准形成于穿隧介电层与源极绝缘层相接处,并涵盖穿隧介电层的一部分；

形成自动对准浮动栅极于穿隧介电层与源极绝缘层之上;

于该悬浮栅极区之上，形成一第二介电层；

于该第二介电层之上，形成一控制栅极区，且该控制栅极区之一部份位于该第二介电层的沟渠结构之该空间中。

12.如权利要求11所述的非挥发性内存单元的制造方法，其特征在于，所述源极扩散区为一浓淡渐次扩散掺杂的结构。