[发明专利]用于纳米线晶体管的内部间隔体及其制造方法

说明书

可以采用内部间隔体，来生产本说明书的纳米线晶体管，在内部间隔体制造期间，通过使用牺牲间隔体来形成内部间隔体。一旦形成了纳米线晶体管，就可以去除(分别)位于晶体管栅极以及源极和漏极之间的牺牲间隔体。然后，可以去除纳米线晶体管的沟道纳米线之间的牺牲材料，并且可以沉积电介质材料以填充沟道纳米线之间的空间。可以去除不在沟道纳米线之间的电介质材料以形成内部间隔体。然后可以与内部间隔体和晶体管沟道纳米线相邻，形成(分别)位于晶体管栅极与源极和漏极之间的外部间隔体。

技术领域

本说明书的实施例总体涉及纳米线微电子器件的领域，并且更具体而言，涉及使用内部间隔体所形成的纳米线晶体管。

背景技术

集成电路部件的更高性能、更低成本、加强的微型化，以及集成电路的更大封装密度是制造微电子器件的微电子行业的一直的目标。在实现这些目标时，微电子器件减小，即，变得更小，这增加了对每种集成电路部件的最优性能的需求，包括在减小短沟道效应、寄生电容和截止状态泄漏电流的同时管理晶体管驱动电流。

非平面晶体管，例如基于鳍和纳米线的器件，使得能够改善对短沟道效应的控制。例如，在基于纳米线的晶体管中，栅极电极包裹在纳米线的整个周边周围，使能沟道区中的更完全耗尽，并减小由于更陡峭的亚阈值电流摆幅(SS)和更小的漏极感应势垒降低(DIBL)导致的短沟道效应。纳米线器件中使用的周围包裹的栅极结构和源极/漏极接触还使得能够更好地管理有源区中的泄漏电流和电容，即使在驱动电流增大时也是如此，如本领域的技术人员将要理解的那样。

附图说明

在说明书的结论部分中具体指出并明确主张了本公开内容的主题。根据结合附图的以下描述及附属权利要求，本公开内容的上述和其它特征将变得更加完全地显而易见。要理解的是，附图仅仅示出了根据本公开内容的几个实施例，并且因此，不应被视为限制其范围。将利用附图以额外的特异性和细节来描述本公开内容，从而可以更容易确定本公开内容的优点，其中：

图1-17是根据本说明书的实施例的形成纳米线晶体管的过程的斜视图及侧视图。

图18是根据本说明书的实施例的制造纳米线晶体管的过程的流程图。

图19图示了根据本说明书的一种实施方式的计算设备。

具体实施方式

在以下具体实施方式中，参考了附图，附图通过图示方式示出了可以实践所主张的主题的具体实施例。这些实施例得到充分详细的描述，以使本领域的技术人员能够实践该主题。应当理解，各实施例尽管不同，但未必是相互排斥的。例如，可以在其它实施例中实施结合一个实施例在本文中描述的特定特征、结构或特性而不脱离所主张主题的精神和范围。在本说明书之内提到“一个实施例”或“实施例”表示结合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本说明书之内所涵盖的至少一个实施方式中。因此，短语“一个实施例”或“在实施例中”的使用，未必是指相同实施例。此外，要理解的是，可以修改每个公开实施例之内独立的元件的位置或布置而不脱离所主张主题的精神和范围。因此，不应以限制性意义来理解以下具体实施方式，并且所主张主题的范围仅受经适当解释的附属权利要求连同附属权利要求所授权的等价物的全范围的限定。在附图中，相同的标号在所有几幅视图中指相同或相似的元件或功能，并且其中绘示的元件未必与彼此成比例，相反，可以放大或缩小独立的元件，以便在本说明书的语境中更容易理解该元件。

如本说明书中所使用的术语“牺牲”是指暂时形成并将被去除并由另一种结构或材料替代的结构或材料。如本文中使用的术语“在……上方”、“到”、“在……之间”和“在……上”可以指一层相对于其它层的相对位置。在另一层“上方”或“上”或结合“到”另一层的一层可以直接接触另一层，或者可以有一个或多个居间层。层“之间”的一层可以直接与这些层接触，或者可以具有一个或多个居间层。