[发明专利]离子植入系统以及处理基板的方法

权利要求书

1.一种处理基板的离子植入系统，包括：

离子源，包括离子源腔室，所述离子源腔室包括定义离子产生区及萃取孔的离子源腔室壁，经由所述萃取孔萃取所述离子产生区中产生的离子；

萃取系统，位于靠近所述萃取孔的所述离子源下游；以及

材料源，包括包含第一材料的第一源、包含第二材料的第二源、以及第一导管及第二导管，

其中所述第一导管与所述第一源及所述离子源腔室连通，以提供来自所述第一源的所述第一材料至所述离子源腔室，且其中所述第二导管与所述第二源及所述离子源腔室外侧的第一区连通，以提供来自所述第二源的所述第二材料至所述第一区。

2.根据权利要求1所述的处理基板的离子植入系统，其中所述第一区位于在所述离子源与所述基板之间的所述离子源下游。

3.根据权利要求2所述的处理基板的离子植入系统，其中所述第一区邻近所述萃取孔。

4.根据权利要求1所述的处理基板的离子植入系统，其中所述萃取系统包括抑制电极及配置在所述抑制电极下游的接地电极。

5.根据权利要求4所述的处理基板的离子植入系统，其中所述第一区位于所述萃取孔与所述抑制电极之间。

6.根据权利要求4所述的处理基板的离子植入系统，其中所述第一区位于所述接地电极与所述抑制电极之间。

7.根据权利要求4所述的处理基板的离子植入系统，其中所述第一区位于所述抑制电极下游。

8.根据权利要求1所述的处理基板的离子植入系统，其中所述第一材料是含硼材料，且所述第二材料是含磷材料及含砷材料中的一个。

9.根据权利要求8所述的处理基板的离子植入系统，其中所述第一材料是BF₃及B₂F₄中的一个，且所述第二材料是PF₃及PH₃中的一个。

10.根据权利要求1所述的处理基板的离子植入系统，其中所述第一材料是含磷材料及含砷材料中的一个，且其中所述第二材料是含硼材料。

11.根据权利要求10所述的处理基板的离子植入系统，其中所述第一材料PF₃及PH₃中的一个，且其中所述第二材料是BF₃及B₂F₄中的一个。

12.一种处理基板的方法，包括：

在离子源腔室中离子化馈入材料及产生所述馈入材料的离子；

经由所述离子源腔室的萃取孔萃取来自所述离子源腔室的所述馈入材料的离子；

在靠近所述萃取孔的所述离子源腔室外侧提供稀释剂；以及

植入所述馈入材料的离子至所述基板中。

13.根据权利要求12所述的处理基板的方法，其中植入所述馈入材料的离子包括不植入所述稀释剂的离子而植入所述馈入材料的离子。

14.根据权利要求12所述的处理基板的方法，其中所述馈入材料及所述稀释剂是选自含硼材料、含磷材料、以及含砷材料组成的族群中。

15.根据权利要求14所述的处理基板的方法，其中所述馈入材料是BF₃及B₂F₄中的一个，且其中所述稀释剂是PH₃及AsH₃中的一个。